找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| PDTC143ET,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):250mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V; | 获取价格 | ||
| SI2302 2.5A | YONGYUTAI | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.5A;功率(Pd):900mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@250uA;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| RS07B | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):10uA@100V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4148WT T4 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS516 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MUR460-B | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):4A;正向压降(Vf):1.85V@3A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR305G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.3V@3A;反向电流(Ir):2.5uA@600V;反向恢复时间(trr):250ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4148WL | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置:独立式;功率:400mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@150mA;反向恢复时间(trr):8ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HER107 | Changzhou Starsea Electronic Co., Ltd | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@800V;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PDTA143EU,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@10mA,500uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V; | 获取价格 | ||
| KSD1691YSTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.3W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@1A,2V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FAS103-M | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| E1J | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KL817-B | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-A | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-D | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817-C | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-D-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铁线 | 获取价格 | ||
| KL8171S1-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比100~350%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压70V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率170mW，工作温度-30~+100℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| KL816-A | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 |
