找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| KL3011M | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流10MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：250V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3011 | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流10MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：250V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3012 | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流5MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：250V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL2501-K | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3010S1-TA | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流15MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：250V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，SMD6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），S1TA-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3010 | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流15MA， 正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：250V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3010M | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流15MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：250V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| TCLL4148 | T&C Technology | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES5J | HIGH DIODEC | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.7V@5A;反向电流(Ir):10uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR153 | GOOD-ARK | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.3V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4148WS-E3-18 | Vishay Intertechnology, Inc. | 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100uA@100V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RHRP15120 | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1.2kV 平均整流电流(Io)：15A 正向压降(Vf)：3.2V@15A 反向电流(Ir)：100uA@1.2kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4148W T4 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| SODSF14-SH | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4148W-7-F | NIHON INTER ELECTRONICS CORP | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：300mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| MD85E33QC3 | Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd. | 高压低功耗LDO CMOS稳压器，带开/关开关 输出类型：固定 输出极性：正 最大输入电压：40V 输出电压：3V~15V 输出电流：300mA 1.5uA静态功耗,40V耐压,300mA输出 | 获取价格 | ||
| YJL2301C | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | P沟道增强型场效应晶体管 20V 3.4A 49mΩ@4.5V,3.4A 1W 620mV@250uA 65pF@10V P Channel 550pF@10V 4.3nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| 1N4148WT | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：125mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：50uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1N4148W | YFW | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1N4448W | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 极管配置：独立式 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：2.5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 |
