找到“bts650p”相关的规格书共6,180个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| LQW2BASR33J00L--BKN | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 高频电感 1.4Ω 330nH ±5% 310mA 650MHz 1.42mm 2.09 x 1.53mm 0805 | 获取价格 | ||
| S1210R-182K | API Delevan Inc. | 固定电感器 1210 1.8µH ±10% 498mA 650mΩ 95MHz 40@7.9MHz | 获取价格 | ||
| 1008-151K | API Delevan Inc. | 固定电感器 Nonstandard 150nH ±10% 1.168A 110mΩ 650MHz 40@25MHz | 获取价格 | ||
| 8230-96 | Bourns Inc. | 固定电感器 Axial 120nH ±10% 1.1A 80mΩ 650MHz 40@25MHz | 获取价格 | ||
| ELJ-PB100KF | Panasonic Corporation | 固定电感器 1812 10µH ±10% 360mA 650mΩ 19MHz 10@2.52MHz | 获取价格 | ||
| CML0306-1N8-CNH | Delta Electronics | 固定电感器 0201 1.8nH ±0.2nH 650mA 200mΩ 6GHz 5@100MHz | 获取价格 | ||
| ER1537-18KS | API Delevan Inc. | 固定电感器 Axial 1.8µH ±10% 525mA 650mΩ 150MHz 33@7.9MHz | 获取价格 | ||
| 1812-182K | API Delevan Inc. | 固定电感器 1812 1.8µH ±10% 556mA 650mΩ 60MHz 50@7.9MHz | 获取价格 | ||
| 7N65L-TQ2-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | MOSFETs N-Channel TO263-3 Id=7.4A Vdss=650V Vgss=±30V Pd=142W | 获取价格 | ||
| PRS4018-150MT | GUANGDONG FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY HOLOING CO.,LTD. | 功率电感 15µH ±20% IND_4X4MM_SM 1.80mm 4.00 x 4.00mm 250mΩ 650mA | 获取价格 | ||
| PRS3015-150MT | GUANGDONG FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY HOLOING CO.,LTD. | 功率电感 15µH ±20% 3015 1.50mm 3.00 x 3.00mm 360mΩ 650mA | 获取价格 | ||
| UMW 10N65F | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=900mΩ@10V TO220F | 获取价格 | ||
| SLF7045T-101MR50-PF | TDK Corporation | 功率电感 100μH ±20% IND_7X7MM_SM 4.50mm 7.00 x 7.00mm 250mΩ 650mA | 获取价格 | ||
| 6550-7241-AU-50 | DBLECTRO[DBLectroInc] | 6550-7241-AU-50 - 650nm 5 mW Laser Diodes AUTO PACKAGE(REGROWTH) - DB Lectro Inc | 获取价格 | ||
| 585MS8GE | HITTITE[HittiteMicrowaveCorporation] | 585MS8GE - HIGH IP3 GaAs MMIC MIXER with INTEGRATED LO AMPLIFIER, 400 - 650 MHz - Hittite Microwave Corporation | 获取价格 | ||
| SCS220AE2C | Rohm Semiconductor | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-247-3 | 获取价格 | ||
| SCS230AE2C | Rohm Semiconductor | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 15A (DC) Through Hole TO-247-3 | 获取价格 | ||
| IPD60R280P7S | Infineon Technologies | MOSFET 650V 12A 280mΩ@10V N Channel 4V@190uA 53W TO-252-3 | 获取价格 | ||
| CMI321609U4R7K | GUANGDONG FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY HOLOING CO.,LTD. | 信号/去耦电感 4.7µH ±10% 25mA 650mΩ 1206 3.20 x 1.60mm 0.90mm | 获取价格 | ||
| SMNR3015-150MT | SXN | 功率电感 15µH ±20% IND_3X3MM_SM 1.50mm 3.00 x 3.00mm 455mΩ 650mA | 获取价格 |
