找到“bts650p”相关的规格书共6,180个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MDD7N65D | MDD辰达半导体 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路 | 获取价格 | ||
| ATK-10.1寸RGBLCD模块 | Guangzhou Xingyi Electronic Technology Co., Ltd | 屏幕尺寸：10.1 寸，接口方式：24 位 RGB 接口，分辨率：1280*800，外形尺寸：235*143mm，工作电压：5V，工作电流：650mA（max），工作温度：-20~70℃ | 获取价格 | ||
| RF1345-000 | Littelfuse Inc. | 最大电压：24V 最大电流：100A 保持电流：200mA 跳闸电流：420mA 初始态阻值(最小值)：650mΩ 跳断后阻值(最大值)：3.1Ω 最大动作时间：0.1s | 获取价格 | ||
| 50240-7725 | MOLEX7[MolexElectronicsLtd.] | 50240-7725 - Ring Tongue Terminal for 14-16 AWG, Closed Uninsulated Brazed Barrel, Stud Size 10(M5), Oxygen-Free Copper, Length 16.50mm (.650") - Molex Electronics Ltd. | 获取价格 | ||
| FHD4N65D | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):49W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS20N65FA9H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):500mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS12N65FA9R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS4N65A3HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IDDD04G65C6 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):13A;正向压降(Vf):1.25V@4A;反向电流(Ir):400nA@420V; | 获取价格 | ||
| BCP69-16F | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,1V; | 获取价格 | ||
| BCP51-10,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | 获取价格 | ||
| BCP52-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | 获取价格 | ||
| BCP69-25,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,1V; | 获取价格 | ||
| BCP54-10,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | 获取价格 | ||
| FQPF12N60C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):650mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FCH040N65S3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):65A;功率(Pd):417W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,32.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@6.5mA; | 获取价格 | ||
| FCP067N65S3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):44A;功率(Pd):312W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):67mΩ@10V,22A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@4.4mA; | 获取价格 | ||
| FCH099N65S3-F155 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):227W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):99mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@3mA; | 获取价格 | ||
| FDPF12N50T | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):650mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| AIGW50N65H5 | Infineon Technologies | IGBT类型:-;功率(Pd):270W;集射极击穿电压(Vces):650V;集电极电流(Ic):83A;集电极脉冲电流(Icm):150A;集电极截止电流(Ices@Vce):40uA@650V;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge):1.66V@50A,15V;栅极阈值电压(Vge(th)@Ic):4V@500uA;栅极电荷(Qg@Ic,Vge):116nC@50A,15V;输入电容(Cies@Vce):2.8nF@25V;开启延迟时间(Td(on)):21ns;关断延迟时间(Td(off | 获取价格 |
