找到“ft5526eez”相关的规格书共9,154个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| ES29DL160FT-90RTGI | EXCELSEMI[ExcelSemiconductorInc.] | ES29DL160FT-90RTGI - 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory - Excel Semiconductor Inc. | 获取价格 | ||
| BFP 640F H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BCR 148S H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BCR 553 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BCR 523U E6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BFR 340L3 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BFP 640FESD H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| S9012 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| UMZ1N | Rubycon Corporation | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| MMBT3906-13-01-F | Diodes Incorporated | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| S9012 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| C1815 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| 2SC3356 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：1uA 特征频率(fT)：7GHz | 获取价格 | ||
| ES29LV640FT-70TGI | EXCELSEMI[ExcelSemiconductorInc.] | ES29LV640FT-70TGI - 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory - Excel Semiconductor Inc. | 获取价格 | ||
| ES29LV320FT-70TGI | EXCELSEMI[ExcelSemiconductorInc.] | ES29LV320FT-70TGI - 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory - Excel Semiconductor Inc. | 获取价格 | ||
| ES29DS640FT-90RTG | EXCELSEMI[ExcelSemiconductorInc.] | ES29DS640FT-90RTG - 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory - Excel Semiconductor Inc. | 获取价格 | ||
| ES29DS400FT-70RTG | EXCELSEMI[ExcelSemiconductorInc.] | ES29DS400FT-70RTG - 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory - Excel Semiconductor Inc. | 获取价格 | ||
| ES29DL800FT-90RTG | EXCELSEMI[ExcelSemiconductorInc.] | ES29DL800FT-90RTG - 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory - Excel Semiconductor Inc. | 获取价格 | ||
| ES29DL640FT-70TGI | EXCELSEMI[ExcelSemiconductorInc.] | ES29DL640FT-70TGI - 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory - Excel Semiconductor Inc. | 获取价格 | ||
| ES29DL400FT-70RWCI | EXCELSEMI[ExcelSemiconductorInc.] | ES29DL400FT-70RWCI - 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory - Excel Semiconductor Inc. | 获取价格 |
