找到“ir4227”相关的规格书共7,916个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| S1D-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V | 获取价格 | ||
| S1G-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@400V | 获取价格 | ||
| S1J-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@600V | 获取价格 | ||
| S1A-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@50V | 获取价格 | ||
| QTLP610CIRTR | ON Semiconductor | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 160° 2-SMD, No Lead | 获取价格 | ||
| OP130W | TT | Infrared (IR) Emitter 935nm 1.75V 100mA 1mW/cm² @ 100mA 50° TO-46-2 Metal Can | 获取价格 | ||
| VSMF2890RGX01 | Vishay Intertechnology, Inc. | Infrared (IR) Emitter 890nm 1.4V 100mA 20mW/sr @ 100mA 24° 2-SMD, Yoke Bend | 获取价格 | ||
| QEB373 | ON Semiconductor | Infrared (IR) Emitter 875nm 1.7V 50mA 16mW/sr @ 100mA 24° 2-SMD, Flat Lead | 获取价格 | ||
| VSMF2893SLX01 | Vishay Intertechnology, Inc. | Infrared (IR) Emitter 890nm 1.4V 100mA 10mW/sr @ 100mA 50° 2-SMD, Side View | 获取价格 | ||
| 1N4764A | HANGZHOU DONGWO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO. LTD. | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：100V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：100nA@76V 阻抗(ZzK)：3KΩ | 获取价格 | ||
| GM82C803CN | ETC1[ListofUnclassifedManufacturers] | GM82C803CN - 2.88 MB FDC/ Dual UARTs with FIFO/PIO(EPP/ ECP)/ IDE Interface/ S-IR/ PnP - List of Unclassifed Manufacturers | 获取价格 | ||
| SFH4205 | INFINEON[InfineonTechnologiesAG] | SFH4205 - Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm),High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) - Infineon Technologies AG | 获取价格 | ||
| SFH4200 | INFINEON[InfineonTechnologiesAG] | SFH4200 - Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm),High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) - Infineon Technologies AG | 获取价格 | ||
| 1N5919BRLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.6V 稳压值(范围)：5.32V~5.88V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@3V 阻抗(Zzt)：2Ω | 获取价格 | ||
| 1N5408 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.2V@3A 反向电流(Ir)：5uA@1kV | 获取价格 | ||
| M2 | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.1V@1A;反向电流(Ir):5μA@100V; | 获取价格 | ||
| P6KE6.8CA-IR100/B | Brightking | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):-;击穿电压:-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:-;最大钳位电压:-; | 获取价格 | ||
| G506DS | Jingdao | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.1V@5A;反向电流(Ir):5uA@600V; | 获取价格 | ||
| 1N4749ATA | T&C Technology | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):24V;稳压值(范围):22.8V~25.2V;精度:±5%;功率:1W;反向电流(Ir):5uA@18.2V;阻抗(Zzt):25Ω; | 获取价格 | ||
| BZX84W-B8V2F | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):8.04V~8.36V;精度:±2%;功率:275mW;反向电流(Ir):700nA@5V;阻抗(Zzt):6Ω; | 获取价格 |
