找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MM3Z24VT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：24V 稳压值(范围)：22.8V~25.6V 功率：300mW 反向电流(Ir)：50nA@16.8V 阻抗(Zzt)：70Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5937BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：33V 稳压值(范围)：31.35V~34.65V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@25.1V 阻抗(Zzt)：33Ω | 获取价格 | ||
| 1SMB5933BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：22V 稳压值(范围)：20.9V~23.1V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@16.7V 阻抗(Zzt)：17.5Ω | 获取价格 | ||
| MMBZ5242BLT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：12V 稳压值(范围)：11.4V~12.6V 功率：300mW 反向电流(Ir)：1uA@9.1V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 | ||
| US1D-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：10uA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| UF4007-E3--73 | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：10uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| UF1004-T | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@400V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| UF4007GP-TP | Micro Commercial Components | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1B-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@100V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N5408G | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.1V@3A 反向电流(Ir)：10uA@1kV | 获取价格 | ||
| LESD3Z5.0C | MDD辰达半导体 | Bi PD=100W VRWM=5V VBR=5.6V VC=16V IPP=8A IR=1uA CJ=10PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1N5261B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：47V 稳压值(范围)：44.65V~49.35V 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@36V 阻抗(Zzt)：105Ω | 获取价格 | ||
| ESD5Z24 | MDD辰达半导体 | Uni PD=120W VRWM=24V VBR=26.7V VC=35V IPP=1A IR=5uA CJ=50PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| BZT52C43 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：43V 稳压值(范围)：40V~46V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2uA@33V 阻抗(Zzt)：130Ω | 获取价格 | ||
| 1N5233B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：6V 稳压值(范围)：5.7V~6.3V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5μA@3.5V 阻抗(Zzt)：7Ω 6V 0.5W | 获取价格 | ||
| 1N5247B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：17V 稳压值(范围)：16.15V~17.85V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@13V 阻抗(Zzt)：19Ω 17V 0.5W | 获取价格 | ||
| 1N5248B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.1V~18.9V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@14V 阻抗(Zzt)：21Ω 18V 0.5W | 获取价格 | ||
| 1N4148W | YONGYUTAI | 功率：500mW 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@100mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| GBLC15C | MDD辰达半导体 | Bi PD=300W VRWM=15V VBR=16.7V VC=31.8V IPP=5A IR=1uA CJ=0.8PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| BAV199WQ-7 | NIHON INTER ELECTRONICS CORP | 二极管配置：1对串联式 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：160mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：5nA@75V | 获取价格 |
