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RS1GLSMC Diode Solutions二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
U1GYangjie Electronic Technology Co., Ltd.二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.25V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):25ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
US1JLSMC Diode Solutions二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
SF38Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd.二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.7V@3A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
SF34GYangjie Electronic Technology Co., Ltd.二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):950mV@3A;反向电流(Ir):1uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
1SS187(LF,T)TOSHIBA CORPORATION二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):920mV@100mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):1.6ns;工作温度:+125℃@(Tj);获取价格
UF104_AY_10001PANJIT SEMI CONDUCTOR二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.1V@1A;反向电流(Ir):10uA@400V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);获取价格
HF1600GLeshan Radio Co., Ltd.二极管配置:独立式;功率:-;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):3.4V@0.5A;反向电流(Ir):5uA@1.2kV;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj);获取价格
FR207GRChongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd.二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
BAV70W,115Rubycon Corporation二极管配置:1对共阴极;功率:200mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):175mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
DAN202URubycon Corporation二极管配置:1对共阴极;功率:200mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):100nA@70V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BAW56WRubycon Corporation二极管配置:1对共阳极;功率:200mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):2.5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BAW56W,115Rubycon Corporation二极管配置:1对共阳极;功率:200mW;直流反向耐压(Vr):90V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BAS21W,115Rubycon Corporation二极管配置:独立式;功率:200mW;直流反向耐压(Vr):250V;平均整流电流(Io):225mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BAV199W,115Rubycon Corporation二极管配置:1对串联式;功率:240mW;直流反向耐压(Vr):85V;平均整流电流(Io):135mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):3pA@75V;反向恢复时间(trr):800ns;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BAV21WRubycon Corporation二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BAV20WJingdao二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
LL914ST(先科)二极管配置:-;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):75mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):25nA@20V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+200℃@(Tj);获取价格
US1MLDIYI ELECTRONIC二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
ES1DYangjie Electronic Technology Co., Ltd.二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):950mV@1A 反向电流(Ir):5μA@200V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)获取价格