找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| LL4448_R1_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 功率：500mW 正向压降(Vf)：1V 100mA 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 工作温度(最大值)：+175℃ (Tj) 反向电流(Ir)：25nA 20V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1N4148WS | TWGMC | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：300mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1μA@75V 反向恢复时间(trr)：8ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| FR107W | Jingdao | 二极管配置：独立式 正向压降(Vf)：1.3V 1A 直流反向耐压(Vr)：1kV 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：5μA 1kV 反向恢复时间(trr)：500ns 工作温度(最小值)：-55℃ (Tj) | 获取价格 | ||
| ES1G | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.25V 1A 反向电流(Ir)：5μA 400V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-65℃ (Tj) 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4148W | BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@100mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| SMAJ180A | Brightking | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：180V 击穿电压(最小值)：201V 击穿电压(最大值)：222V 反向漏电流(Ir)：1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：1.4A 最大钳位电压：292V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs：400W | 获取价格 | ||
| 1SS355 | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| MURB1620CTRT4G | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阳极 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：8A 正向压降(Vf)：1.2V@8A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：85ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| M1MA142WKT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@75V 反向恢复时间(trr)：3ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAV70LT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@100V 反向恢复时间(trr)：6ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4148WS-E3-08 | Vishay Intertechnology, Inc. | 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100uA@100V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS16-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS116GWJ | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：600mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：5nA@75V 反向恢复时间(trr)：800ns | 获取价格 | ||
| MMBD914LT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMBD914LT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| SMF10A | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):10V;击穿电压(最小值):11.1V;击穿电压(最大值):12.3V;反向漏电流(Ir):2.5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:11.8A;最大钳位电压:17V; | 获取价格 | ||
| FHA80F40A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):40A;正向压降(Vf):1V@40A;反向电流(Ir):50uA@400V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR157 | DIYI ELECTRONIC | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.3V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-65℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES5ACG | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1V@5A;反向电流(Ir):5uA@50V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| F2GF | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
