找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5817WS | TWGMC | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：750mV@3A 反向电流(Ir)：1mA@20V | 获取价格 | ||
| 046802.5NRHF | Littelfuse Inc. | 标称电压降：73.92mV 熔断 I²t：1.011 分断能力：50A 产品：贴片式保险丝 标称冷电阻：- 保险丝类型：延时熔断/慢速熔断 额定电流：2.5A | 获取价格 | ||
| 0501010.WR1 | Littelfuse Inc. | 标称电压降：44.07mV 熔断 I²t：10.385 分断能力：150A 产品：贴片式陶瓷保险丝 标称冷电阻：3.62mΩ 保险丝类型：快速熔断 额定电流：10A | 获取价格 | ||
| SS12 | TWGMC | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：450mV@1A 反向电流(Ir)：500μA@20V | 获取价格 | ||
| 046601.5NRHF | Littelfuse Inc. | 标称电压降：82.97mV 熔断 I²t：0.1103 分断能力：50A 产品：贴片式保险丝 标称冷电阻：46mΩ 保险丝类型：快速熔断 额定电流：1.5A | 获取价格 | ||
| 0466.125NRHF | Littelfuse Inc. | 标称电压降：634.37mV 熔断 I²t：0.00064 分断能力：50A 产品：贴片式保险丝 标称冷电阻：3.925Ω 保险丝类型：快速熔断 额定电流：125mA | 获取价格 | ||
| S9015 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | NPN型 Vce饱和压降(Max)：-300mV 集电极电流Ic(Max)：-100mA 功率(Max)：200mW 跃迁频率：150MHz 封装：SOT-23 | 获取价格 | ||
| SS3H10-E3--57T | Vishay Intertechnology, Inc. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：800mV@3A 反向电流(Ir)：20uA@100V | 获取价格 | ||
| TD8228 | TECHCODE | 功能类型：升压型 同步整流：否 输出通道数：1 拓扑结构：升压式 输入电压：2.5V~6V 输出电压：600mV~6V 输出电流(最大值)：2A 开关频率：1MHz | 获取价格 | ||
| TS2264A(MSOP-8) | Trusignal Microelectronics | 6.5MHz 轨到轨 5V/us Iq=580uA(per amp) Vos=3.5mV(Max) 双通道 产品性能媲美TI的OPA2374、ST的TSV912、MicroChip的MCP6282等 | 获取价格 | ||
| BC807-25 | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 100nA 45V 300mW 160@100mA,1V 500mA 100MHz 700mV@500mA,50mA PNP +150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| AP7361-33E-13 | Diodes Incorporated | 65dB@（1kHz），45dB@（10kHz）1A 700mV@（1A）固定式3.3V ~ 3.3V正极1 2.2~6V SOT-223线性稳压器（LDO）ROHS | 获取价格 | ||
| ES2AA-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：920mV@2A 反向电流(Ir)：5uA@50V 反向恢复时间(trr)：25ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 2301P | FM | P沟道沟道功率MOSFET 20V 2.8A 110mΩ@10V,1A 840mW 650mV@250uA 42pF@10V P Channel 332pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3 | 获取价格 | ||
| H7605-50NR | Siproin | 输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:8V;输出电压:5V;压差:350mV@(100mA);输出电流:300mA;电源纹波抑制比(PRSS):-; | 获取价格 | ||
| BAR 64-05W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):950mV@100mA;反向电流(Ir):20nA@20V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-07 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 | ||
| BAR 63-04 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):950mV@100mA;反向电流(Ir):10nA@35V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-04 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-05W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 |
