找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| TD6811 | TECHCODE | 功能类型：降压型 同步整流：是 输出通道数：1 拓扑结构：降压式 输入电压：2.5V~5.5V 输出电压：600mV~5.5V 输出电流(最大值)：1.2A 开关频率：1.5MHz | 获取价格 | ||
| XC6206J302MR-G | TOREX SEMICONDUCTOR LTD. | 输出类型：固定 输出极性：正 最大输入电压：6V 输出电压：3V 输出电流：200mA 3.0V低功耗LDO，200mA，待机电流1μA，压差200mV@100mA | 获取价格 | ||
| BC849C | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 100nA 45V 200mW 200@1mA,5V 100mA 150MHz 300mV@100mA,5mA NPN +150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| XC6221B332MR-G | TOREX SEMICONDUCTOR LTD. | 200mA 70dB@（1kHz）140mV@（100mA）固定式3.3V ~ 3.3V正极1 6V SOT-25线性稳压器（LDO）ROHS | 获取价格 | ||
| GMDW12V08PSR002L | GALAXY[GalaxyPower,Inc.] | GMDW12V08PSR002L - DORADO MV 24V or 48V Input, 8.0V, 12.0V DC, 8A Output 15.0V DC, 6A Output - Galaxy Power, Inc. | 获取价格 | ||
| GMDW12V08PMR002L | GALAXY[GalaxyPower,Inc.] | GMDW12V08PMR002L - DORADO MV 24V or 48V Input, 8.0V, 12.0V DC, 8A Output 15.0V DC, 6A Output - Galaxy Power, Inc. | 获取价格 | ||
| GMDW12V08PMR001L | GALAXY[GalaxyPower,Inc.] | GMDW12V08PMR001L - DORADO MV 24V or 48V Input, 8.0V, 12.0V DC, 8A Output 15.0V DC, 6A Output - Galaxy Power, Inc. | 获取价格 | ||
| L9014SLT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 通用晶体管NPN硅 100nA 45V 225mW 100mA 300mV@100mA,5mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| ST36 | MDD辰达半导体 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):60V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):500mV@3A;反向电流(Ir):30uA@60V; | 获取价格 | ||
| BC857CW | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | PNP晶体管 100nA 45V 200mW 420@2mA,5V 100mA 100MHz 650mV@100mA,5mA PNP +150℃@(Tj) SOT-323-3 | 获取价格 | ||
| BPC-817A | Bright Led Electronics Corp. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.2V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:35V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):100mV@1mA,20mA; | 获取价格 | ||
| BL817B | Changzhou Galaxy microelectronics Limited | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.2V;反向电压:6V;输出电流:30mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):100mV@1mA,20mA; | 获取价格 | ||
| HT7733BA | Holmate Technology Corp. (Holtek) | 功能类型:升压型;同步整流:否;输出通道数:1;拓扑结构:升压式;输入电压:850mV~5V;输出电压:3.3V;输出电流(最大值):200mA;开关频率:200kHz; | 获取价格 | ||
| FHP20150A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):830mV@10A;反向电流(Ir):1.1uA@150V; | 获取价格 | ||
| HBR20100-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):780mV@10A;反向电流(Ir):10uA@100V; | 获取价格 | ||
| HBR3045-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):640mV@15A;反向电流(Ir):50uA@45V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-04S H6827 | Infineon Technologies | 二极管配置:2对串联式;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 | ||
| BAR 64-02EL E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):950mV@100mA;反向电流(Ir):20nA@20V; | 获取价格 | ||
| BAS 3005A-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):500mA;正向压降(Vf):450mV@500mA;反向电流(Ir):300uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAS 40-05 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):120mA;正向压降(Vf):720mV@40A;反向电流(Ir):1uA@30V; | 获取价格 |
