找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5817W | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 正向压降(Vf)：450mV 3A 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：1mA 20V | 获取价格 | ||
| 0468002.NRHF | Littelfuse Inc. | 标称电压降：77.27mV 熔断 I²t：0.506 分断能力：50A 产品：贴片式保险丝 标称冷电阻：- 保险丝类型：延时熔断/慢速熔断 额定电流：2A | 获取价格 | ||
| 0466001.NRHF | Littelfuse Inc. | 标称电压降：79.97mV 熔断 I²t：0.0423 分断能力：50A 产品：贴片式保险丝 标称冷电阻：75mΩ 保险丝类型：快速熔断 额定电流：1A | 获取价格 | ||
| 0466.375NRHF | Littelfuse Inc. | 标称电压降：169.18mV 熔断 I²t：0.0045 分断能力：50A 产品：贴片式保险丝 标称冷电阻：351mΩ 保险丝类型：快速熔断 额定电流：375mA | 获取价格 | ||
| 0466.200NRHF | Littelfuse Inc. | 标称电压降：254.28mV 熔断 I²t：0.00055 分断能力：50A 产品：贴片式保险丝 标称冷电阻：1.1Ω 保险丝类型：快速熔断 额定电流：200mA | 获取价格 | ||
| 1SS193(TE85L,F) | TOSHIBA CORPORATION | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：920mV@100mA | 获取价格 | ||
| MBRB2545CTT4G | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：45V 平均整流电流(Io)：15A 正向压降(Vf)：620mV@15A 反向电流(Ir)：200uA@45V 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| XC6206J332MR-G | TOREX SEMICONDUCTOR LTD. | 输出类型：固定 输出极性：正 最大输入电压：6V 输出电压：3.3V 输出电流：200mA 3.3V低功耗LDO，200mA，待机电流1μA，压差200mV@100mA | 获取价格 | ||
| FMMT591 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 硅外延平面晶体管 100nA 60V 500mW 100@500mA,5V 1A 150MHz 600mV@1A,100mA PNP +150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| MBRF2045CT | MDD辰达半导体 | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):550mV@10A;反向电流(Ir):1mA@45V@45V; | 获取价格 | ||
| HBR20100-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):780mV@10A;反向电流(Ir):10uA@100V; | 获取价格 | ||
| HBR10150-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):890mV@10A;反向电流(Ir):10uA@150V; | 获取价格 | ||
| HBR10200-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):920mV@10A;反向电流(Ir):10uA@200V; | 获取价格 | ||
| BAT 64-04 E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):570mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAT 15-02ELS E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-07 E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 | ||
| BAS 40-07W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):120mA;正向压降(Vf):720mV@40A;反向电流(Ir):1uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAT 54-05W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):800mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@25V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 | ||
| BAT 24-02ELS E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 |
