找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BCP51-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP56-16T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PZT3904 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PZTA56 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP52-16-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-1A 功率(Pd)：1.5W 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V 特征频率(fT)：100MHz (100~250) | 获取价格 | ||
| 2080K | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):88W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@4.5V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):800mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):38nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.56nF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):356pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1815 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSR41,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.35W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1664 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,3V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1797 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):350mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,2V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC5964-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):3.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;特征频率(fT):380MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):270@100mA,2V;特征频率(fT):290MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS5330X,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.4W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):320mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):175@1A,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX52,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB804 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):290mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@500mA,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC2883Y | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC5053R | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BF623,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@30mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BF621,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@30mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX56-16,147 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
