找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| S8550-H | Jingdao | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC63916-D27Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):830mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SS8050CBU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSA708YTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MPSA05RA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NSVBCP53-16T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NVF6P02T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):8.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):44mΩ@4.5V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):940pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):110pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBHV8540Z,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):700mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):135mV@300mA,60mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@300mA,10V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9012W | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC857BW,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):1nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC846BW,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC817W | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC817W,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC856BW,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP60P02D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4.5V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):650mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):63nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.6nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):300pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSC5502DTM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN(基极发射极结二极管);集射极击穿电压(Vceo):600V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):87.83W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@1A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@500mA,2.5V;特征频率(fT):11MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BD238 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@1A,2V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MPS2222A | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4672-Q | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):210MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTC4374 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):400mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@200mA,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
