找到“ua7908ckter”相关的规格书共5,775个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HER104 | MDD辰达半导体 | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：300V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@300V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS16TW-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| NTTFS4929NTWG | ON Semiconductor | N沟道 , 30V , 34A , 22.3W , 8.8mΩ@10V,10A , 1.6V@250uA , 8.8nC@4.5V , 920pF@15V , 175pF@15V , -55℃~+150℃@(Tj) , | 获取价格 | ||
| MUR480ERLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：4A 正向压降(Vf)：1.85V@4A 反向电流(Ir)：25uA@400V 反向恢复时间(trr)：100ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| FR157G | Changzhou Galaxy microelectronics Limited | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.3V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES5CC | Jingdao | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1V@5A;反向电流(Ir):5uA@150V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4226-T1 | NEC Electronics | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@3mA,7V;特征频率(fT):4.5GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HER204 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):300V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@300V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| C2383A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;特征频率(fT):20MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DP0080SB | DC | 反向截止电压(Vdrm):6V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):25V;维持电流(Ih):50mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):100pF; | 获取价格 | ||
| CS4N80FA9HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):865pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13009A8 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):450mV@8A,1.6A;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES3BCG | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):5uA@100V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4148WT | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 3DD13009K-O-C-N-B | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.8V@8A,1.6A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@5A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 15F60HF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):1.4V@15A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):68.8ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS 16S H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:3个独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAW 78D H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:1W;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):2V@2A;反向电流(Ir):1uA@400V;反向恢复时间(trr):1us;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS 21-03W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS 16-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
