找到“yyv83cje”相关的规格书共5,887个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| EFM32GG11B420F2048GQ100-BR | Murata Manufacturing Co., Ltd. | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:72MHz;程序存储容量:2MB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:512KB;GPIO端口数量:83; | 获取价格 | ||
| TD6-05S24 | TDPOWER | 转换类型:DC-DC;输入电压(DC):4.5V~9V;输出电压:24V;输出电流(最大值):250mA;输出功率:6W;转换效率:83%; | 获取价格 | ||
| HB3510P | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):38mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| KY2310 | Shenzhen Hanjingyuan Electronics Co., Ltd | 类型：60V 3A N-Channel Mosfet● RDS(ON) ≤ 100m ( 83m Typ.)@VGS=10V● RDS(ON) ≤ 120m ( 91m Typ.)@VGS=4.5V● Battery Switch● DC/DC Converter | 获取价格 | ||
| HSP18N20 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 漏源电压（Vdss）:200V;连续漏极电流（Id）（25°C 时）:18A;栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA;漏源导通电阻:170mΩ @ 9A,10V;最大功率耗散（Ta=25°C）:83W;类型:N沟道; | 获取价格 | ||
| D44VH10G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):83W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,1V; | 获取价格 | ||
| GC11N70T | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):395mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| 01010.0-10 | STEGO | STEGO - 01010.0-10 - THERMOSTAT, NO, 13A, 56VDC - Operating Voltage:56VDC; Contact Current Max:13A; Operation Type:NO; Operating Temperature Min:-30°C; Operating Temperature Max:50°C; Product Range:DCM 010 Series 83AC7437 | 获取价格 | ||
| EFM32GG11B510F2048GQ100-BR | Murata Manufacturing Co., Ltd. | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:72MHz;程序存储容量:2MB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:384KB;GPIO端口数量:83; | 获取价格 | ||
| EFM32GG11B520F2048GQ100-BR | Murata Manufacturing Co., Ltd. | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:72MHz;程序存储容量:2MB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:512KB;GPIO端口数量:83; | 获取价格 | ||
| EFM32GG11B420F2048IQ100-BR | Murata Manufacturing Co., Ltd. | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:72MHz;程序存储容量:2MB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:512KB;GPIO端口数量:83; | 获取价格 | ||
| TD6-05S12 | TDPOWER | 转换类型:DC-DC;输入电压(DC):4.5V~9V;输出电压:12V;输出电流(最大值):500mA;输出功率:6W;转换效率:83%; | 获取价格 | ||
| 630A-252 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDP083N15A-F102 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):83A;功率(Pd):294W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.3mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SN75LVDS83ADGGR | Texas Instruments | SN75LVDS83A Flatlink™变送器器件在单个集成电路中包含4个7位并行负载串行输出移位寄存器，一个7×时钟合成器和5个低压差分信号(LVDS)线路驱动器。 | 获取价格 | ||
| TD6-12S15 | TDPOWER | 转换类型:DC-DC;输入电压(DC):9V~18V;输出电压:15V;输出电流(最大值):400mA;输出功率:6W;转换效率:83%; | 获取价格 | ||
| TD6-12S24 | TDPOWER | 转换类型:DC-DC;输入电压(DC):9V~18V;输出电压:24V;输出电流(最大值):250mA;输出功率:6W;转换效率:83%; | 获取价格 | ||
| RQ73C1J3K83BTDF | TE Connectivity Ltd | HOLSWORTHY - TE CONNECTIVITY - RQ73C1J3K83BTDF - SMD Chip Resistor, 0603 [1608 Metric], 3.83 kohm, RQ73 Series, 75 V, Thin Film, 150 mW - SMD Chip Resistor, 0603 [1608 Metric], 3.83 kohm, RQ73 Series, 75 V, Thin Film, 150 mW | 获取价格 | ||
| G2415S-1W | Rlt | 转换类型:DC-DC;是否隔离稳压:隔离非稳压;输出路数:2;输入电压(DC):22.8V~26.4V;输出电压:±15V;输出电流(最大值):±33mA;输出功率:1W;转换效率:83%;最大容性负载:22uF; | 获取价格 | ||
| B2424LS-1W | Rlt | 转换类型:DC-DC;是否隔离稳压:隔离非稳压;输出路数:1;输入电压(DC):22.8V~26.4V;输出电压:24V;输出电流(最大值):42mA;输出功率:1W;转换效率:83%;最大容性负载:22uF; | 获取价格 |
