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| MMBTA55 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | - | | | 获取价格 |
| MMBTSC3356-3G | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | NPN硅外延平面晶体管 | | | 获取价格 |
| BZT52C6V2S | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | SOD-323塑料封装二极管 | | | 获取价格 |
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| BZT52C3V3S | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 稳压二极管 Vz=3.3V 3.1V~3.5V Izt=5mA P=200mW SOD323 | | | 获取价格 |
| MMDT3904V | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 达林顿三极管,SOT563,VCEO=40V,200mA | | | 获取价格 |
| BZT52C22S | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | SOD-323塑料封装二极管 | | | 获取价格 |
| BZT52C7V5S | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | SOD-323塑料封装二极管 | | | 获取价格 |
| BAT54ST | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | SOT523 SMT 30V | | | 获取价格 |
| BAT54BRW | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 塑料封装二极管、肖特基势垒二极管阵列 | | | 获取价格 |
| 2SB772PU | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 三极管 | | | 获取价格 |
| BAV70W | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 硅外延平面开关二极管 | | | 获取价格 |
| MM5Z7V5 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 硅平面稳压二极管 | | | 获取价格 |
| BAS16WT | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 开关二极管 | | | 获取价格 |
| 1N4448WT | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：125mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | | | 获取价格 |
| MMDT3904DW | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 三极管 | | | 获取价格 |
| MMDT3906DW | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型：2个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | | | 获取价格 |
| MMDT3946DW | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | | | 获取价格 |
| BZT52C18W | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 硅平面稳压二极管 | | | 获取价格 |
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