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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
BZX84C8V2CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED SOT23-3 8.2V获取价格
BZX84C6V2CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED SOT23-3 6.2V获取价格
BZX84C24CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED二极管配置:独立式 稳压值(最小值):22.8V 稳压值(标称值):24V 稳压值(最大值):25.6V 精度:- 功率:350mW 反向电流(Ir):50nA@16.8V 阻抗(Zzt):70Ω获取价格
MM5Z3V9CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED硅平面稳压二极管获取价格
MM5Z12CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED硅平面稳压二极管获取价格
MMBD4148CACHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED硅外延平面开关二极管获取价格
1N4148WSCHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA获取价格
MMBT5401CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 150 V 600 mA 300MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3获取价格
BZT52C4V7WCHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED硅平面稳压二极管获取价格
BZT52C6V2WCHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED硅平面稳压二极管获取价格
S9018CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):15V 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):105@1mA,5V 特征频率(fT):600MHz 工作温度(最小值):- 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)获取价格
SD103AWCHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED肖特基二极管 SOD123 VR=40V Io=350mA IR=5μA获取价格
RB751S-40CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED获取价格
2N5551UCHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED三极管 NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=250 P=500mW SOT89获取价格
MMBT4401CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@150mA,15mA;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BAT54W L4CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@100mA;反向恢复时间(trr):5ns;获取价格
BSS138DWCHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITEDMOSFETs N沟道 SOT-363获取价格
S8050CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED通用三极管 NPN 25V 500mA hFE=120@50mA,1V J3Y(J3Y表示丝印) SOT523获取价格
BZT52C5V1W W8CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED获取价格
BAT54W S1CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED肖特基 VR=30V IF=200mA PD=230mW IR=2μA SOD123获取价格