| IRFR9024N | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：8.8A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,5.3A | | | 获取价格 |
| JSM3401 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| XP151A13A0MR | JSMICRO SEMICONDUCTOR | | | | 获取价格 |
| 8205S | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 类型:双N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.24nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):522.3pF@8V;反向传输电容(Crss@Vds):74.69pF@8V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BC807 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 通用三极管 PNP 45V 500mA 300mW hFE=100~600 SOT23 | | | 获取价格 |
| BAV99LT1G | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 开关二极管（小信号） 75V 215mA 4ns SOT-23 | | | 获取价格 |
| XB5352 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | XB5352 | | | 获取价格 |
| MM1Z18W | JSMICRO SEMICONDUCTOR | MM1Z18W | | | 获取价格 |
| SD103AW | JSMICRO SEMICONDUCTOR | SD103AW | | | 获取价格 |
| BTA04-600B | JSMICRO SEMICONDUCTOR | BTA04-600B | | | 获取价格 |
| LM2575S-3.3 P+ | JSMICRO SEMICONDUCTOR | LM2575S-3.3 P+ | | | 获取价格 |
| AMS1117-3.3V | JSMICRO SEMICONDUCTOR | Io=1.2A Vo=3.3V Vin=15V SOT-223线性稳压器（LDO） | | | 获取价格 |
| PCF8563T | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 32.768KHz 2.5~5.5V | | | 获取价格 |
| AMS1117-3.3 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 正 Vin=30V Vout=3.3V 1A | | | 获取价格 |
| JSM546 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 高压霍尔效应开关系列 | | | 获取价格 |
| JSM543 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 高压霍尔效应开关系列 | | | 获取价格 |
| JSM504 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 高压霍尔效应开关系列 | | | 获取价格 |
| JSM501 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 高压霍尔效应开关系列 | | | 获取价格 |
| JSM4N65D | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 600V N沟道MOSFET | | | 获取价格 |
| JSM4407 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | P沟道增强型功率MOSFET | | | 获取价格 |
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