| HYG023N04LS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY3215B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY4504B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):288W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,125A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY3312B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):125V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):278W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,65A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY3708B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HYG035N10NS2B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| HYG016N04LS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):240A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,40A; | | | 获取价格 |
| HYG065P03LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):57.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.9mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.595nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):446pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HY3010D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY3906P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):190A;功率(Pd):220W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,95A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HYG650N10LS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N沟道 100V 14A TO252-2L | | | 获取价格 |
| HYG090ND06LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs Dual N-Channel 60V 56A DFN8_5X6MM_EP 60W 39pF 12.2mΩ 1µA | | | 获取价格 |
| HYG180N10LS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N-Channel 100V 45A TO252 1µA 16mΩ +175℃(TJ) | | | 获取价格 |
| HY1606B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY5012W | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY5012W | | | 获取价格 |
| HYG072N10LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG072N10LS1C2 | | | 获取价格 |
| HY15P03C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY15P03C2 | | | 获取价格 |
| HYG020N04NA1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG020N04NA1B | | | 获取价格 |
| HYG065N07NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):52nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.99nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):26pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HY1506D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
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