| HYG650N10LS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N沟道 100V 14A TO252-2L | | | 获取价格 |
| HYG090ND06LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs Dual N-Channel 60V 56A DFN8_5X6MM_EP 60W 39pF 12.2mΩ 1µA | | | 获取价格 |
| HYG180N10LS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N-Channel 100V 45A TO252 1µA 16mΩ +175℃(TJ) | | | 获取价格 |
| HY1606B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY5012W | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HYG072N10LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG072N10LS1C2 | | | 获取价格 |
| HY15P03C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY15P03C2 | | | 获取价格 |
| HYG020N04NA1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG020N04NA1B | | | 获取价格 |
| HY0C20C | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:双N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@4.5V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY4903B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):314A;功率(Pd):268W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7mΩ@10V,150A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY029N10B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):270A;功率(Pd):394.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HYG210P06LQ1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG210P06LQ1C2 | | | 获取价格 |
| HY029N10B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| HYG025N06LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY1804P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY3704P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):176A;功率(Pd):192W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.6mΩ@10V,88A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY4903P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):290A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,145A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| HYG080N10LS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HYG050N08NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):187.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):68nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.28nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HYG400P10LR1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
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