| SLU5N65S | Maplesemi | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| SLD5N65SV | Maplesemi | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):680V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):32W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):585pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MSF08065G1 | Maplesemi | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1.45V@8A; | | | 获取价格 |
| MSNP06065G1 | Maplesemi | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1.45V@6A;反向电流(Ir):2uA@650V; | | | 获取价格 |
| MSNP10065G1 | Maplesemi | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.45V@10A;反向电流(Ir):2uA@650V; | | | 获取价格 |
| MSNP08065G1 | Maplesemi | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1.45V@8A;反向电流(Ir):2uA@650V; | | | 获取价格 |
| MSF06065G1 | Maplesemi | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1.45V@6A;反向电流(Ir):2uA@650V; | | | 获取价格 |
| SLD65R380E7 | Maplesemi | N管 650V 11A TO-252 380mΩ | | | 获取价格 |
| SLD70R900S2 | Maplesemi | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| SLD60R380S2 | Maplesemi | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):89W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,5.5A; | | | 获取价格 |
| MSP10065G1 | Maplesemi | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.45V@10A;反向电流(Ir):2uA@650V; | | | 获取价格 |
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