| BRCS300P02ZJ | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | DFN 2*2B-6L 塑封封装 P 沟道 MOS 场效应管。 | | | 获取价格 |
| BR4953D-A | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | SOP-8 双P沟道 MOS 场效应管 Id:-3A RDS:85mΩ Vdss:-20V | | | 获取价格 |
| MJD350 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 通用三极管 PNP TO252 Vcbo=300V Vebo=5V Ic=500mA Pc=1.56W | | | 获取价格 |
| 2SB649AD-C | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 通用三极管 TO252-3 Vcbo=180V Vceo=160V Vebo=5V Ic=1.5A Pc=1W | | | 获取价格 |
| BC817-40 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 三极管 NPN Ic=500mA Vceo=45V hfe=600 P=250mW SOT23-3 | | | 获取价格 |
| MMBTA42 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 通用三极管 NPN SOT23-3 Vcbo=300V Vebo=6V Ic=500mA Pc=350mW | | | 获取价格 |
| KTC4379-Y | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 通用三极管 NPN SOT89-3 Vcbo=50V Vebo=5V Ic=2A Pc=500mW | | | 获取价格 |
| 2SA1797-Q | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 通用三极管 PNP SOT89-3 Vcbo=50V Vebo=6V Ic=3A Pc=500mW | | | 获取价格 |
| 2SA1013T-0 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | SOT-89 塑封封装 PNP 半导体三极管 | | | 获取价格 |
| MJE13003F1 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | TO-92 NPN 通用三极管 800mA 5MHz | | | 获取价格 |
| 78L12 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 三端稳压调整器，最大输入电压：35V 输出电压：12V,输出电流高达 100mA,内设过热保护和短路限制。 | | | 获取价格 |
| 2SC380TM-Y | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@10mA,1mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@2mA,12V;特征频率(fT):400MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BRCD3408 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| BR13N50 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):195W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| BR40P03 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):80W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,24A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| BRCS3205RA | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):110A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ 10V,90A;功率(Pd):200W;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V 250μA;类型:N沟道; | | | 获取价格 |
| BRD50N06 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| MBRD10100CT | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):850mV@5A;反向电流(Ir):10uA@100V; | | | 获取价格 |
| KTA1666-Y | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SB1132-Q | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,3V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
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