找到“IB2405S”相关的规格书共1,792个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| BCP 51-16 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BDP 953 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BFR 460L3 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BFQ 790 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BCV 48 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BCR 116 E6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BC 846U E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BFR 340F H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| 2SC1623 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| MMBT2907A | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| PDTA114YT,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| KTB764-Y-AT--P | KEC CORPORATION | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| DTC114EUA | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BFR 360F H6765 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BC 818K-16W H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| FZT955 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):3W;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):370mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,5V;特征频率(fT):110MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP56-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：-80V 集电极电流(Ic)：-1A 功率(Pd)：1.5W 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V | 获取价格 | ||
| FZT955-MS | Mason semiconductor | 集射极击穿电压(Vceo)：-140V 集电极电流(Ic)：-4A 功率(Pd)：3W 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：370mV@3A,300mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@1A | 获取价格 | ||
| 2SC3303 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@3A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1A,1V;特征频率(fT):20MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD31T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
