找到“IB2405S”相关的规格书共1,792个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| TIP32CL-TA3-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJE3055 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):1mA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):8V@10A,3.3A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V;特征频率(fT):2MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC857AW | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):125@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD4244DM | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):5μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@500mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DTC143ZE-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：250mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：350@10mA,5V 输入电阻：4.7kΩ | 获取价格 | ||
| BU406 | Inchange Semiconductor Company Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@1A,5V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC5200 | MINOS | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):230V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):150W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@8A,800mA;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BD788G | ON Semiconductor | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：2.5V@4A,800mA 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：4A | 获取价格 | ||
| BC847C(1G) | ST(先科) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：420@2mA,5V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN | 获取价格 | ||
| 2SC945G | Changzhou Galaxy microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| E13003DA | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@500mA,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13007X1 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):80W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@5A,1A;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13003F6 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):100μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,250mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13003E1D-92-FJ | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):7@1.5A,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13007K-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):80W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@8A,2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@2A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 846UPN E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 857S H6827 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFP 183 E7764 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):65mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@15mA,8V;特征频率(fT):8GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCV 62A E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFP 196 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):700mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,8V;特征频率(fT):7.5GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
