找到“ID8155B”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HUF75345G3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):325W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):220nC@0~20V;输入电容(Ciss@Vds):4nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):450pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQPF8N80CYDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):59W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.29Ω@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):35nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.58nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):13pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDWS86068-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):31nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):2.22nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):19pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCP9N60N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):19A;功率(Pd):83.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):330mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):22nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):930pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):2pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA27N25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):27A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):83mΩ@10V,13.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):50nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.9nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):49pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA13N50C-F109 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13.5A;功率(Pd):218W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):390mΩ@10V,6.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):43nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.58nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS86380-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.44nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):14pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCPF7N60YDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):31W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):530mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):710pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):34pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB029N06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):193A;功率(Pd):231W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):116nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.38nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):451pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCPF1300N80ZYD | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):24W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.05mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@400uA;栅极电荷(Qg@Vgs):16.2nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):661pF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):0.74pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HUF75639G3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):56A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.021mΩ@10V,56A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):110nC@0~20V;输入电容(Ciss@Vds):2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):65pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB86360-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):333W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):207nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):14.6nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):370pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE65T360D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE6080D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):90nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):210pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSH6115 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):86.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,18A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.635nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):141pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG054N09NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):135A;功率(Pd):187.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):88.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.067nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):59pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG060N08NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):105A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):48nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.95nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCEP033N10D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):245W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):127.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.8105nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):30pF@50V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2080K | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):88W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@4.5V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):800mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):38nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.56nF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):356pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JMSH1004AE | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):190A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):66nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):4.398nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@50V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
