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FQT2P25TFMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:P沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):550mA;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.15Ω@10V,275mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):190pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):6.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FQB6N40CTMMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):73W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):830mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):16nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):480pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FQA7N80C-F109Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):198W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.57Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):27nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.29nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):10pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FQD13N06TMMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):28W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):240pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FDPF44N25TRDTUMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):44A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10V,22A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):47nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.21nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FQB8N90CTMMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):6.3A;功率(Pd):171W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,3.15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):35nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.6nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):12pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FQA170N06Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):170A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,85A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):220nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):620pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
FCP110N65FMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):357W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):96mΩ@10V,17.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@3.5mA;栅极电荷(Qg@Vgs):98nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.68nF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):0.65pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
2SJ661-DL-1EMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):38A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29.5mΩ@10V,19A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):80nC@30V;输入电容(Ciss@Vds):4.36nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):335pF@20V;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
FDV045P20LMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.15A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):86mΩ@4.5V,1.15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.4nC@0~2.5V;输入电容(Ciss@Vds):812pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):108pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FDB9409L-F085Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):52nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.36nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):42pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
FQB10N50CFTM-WSMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):143W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):510mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.66nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):17.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
NCE65TF180DWUXI NCE POWER CO., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):21A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V,10.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):36nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.25nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FDB86363-F085Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):131nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):10nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):95pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
JCS10N65ST-S-ARJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):178W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):34nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.61nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
HYG064N08NA1BHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):65nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):205pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
HYG025N06LS2BHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):145A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):69.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.381nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):10pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
NCEP028N85DWUXI NCE POWER CO., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):200A;功率(Pd):245W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):124nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.68nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
HYG055N08NS1BHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):187.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.66nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
4060KFM类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.65V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):52nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.246nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):176pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格