找到“ID8156HB”相关的规格书共12,092个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| AS3423B | FORMOSA MICROSEMI CO. LTD | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@4.5V,3A; | 获取价格 | ||
| SM2326NSANC-TRG | Sinopower Semiconductor, Inc | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,2.5A; | 获取价格 | ||
| 2V7002KT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):320mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,500mA; | 获取价格 | ||
| TF3400 | Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@2.5V,4A; | 获取价格 | ||
| PMV20ENR | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):510mW；6.94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,6A; | 获取价格 | ||
| BST82,215 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):190mA;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10Ω@150mA,5V; | 获取价格 | ||
| MGSF2N02ELT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@4.5V,3.6A; | 获取价格 | ||
| BSH111BKR | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):210mA;功率(Pd):302mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,200mA; | 获取价格 | ||
| HSS2307 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,6A; | 获取价格 | ||
| ST2304 | STANSON | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):3.2A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,3.2A; | 获取价格 | ||
| ST2317S23RG | STANSON | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):37mΩ@10V,5A; | 获取价格 | ||
| ST1002 | STANSON | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):128mΩ@10V,3A; | 获取价格 | ||
| PMV27UPEAR | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):490mW；4.15W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@4.5A,4.5V; | 获取价格 | ||
| FS3400 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,2.9A; | 获取价格 | ||
| PMN42XPEAX | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5.7A;功率(Pd):500mW；8.33W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@3A,4.5V; | 获取价格 | ||
| AP200N04 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):180W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,50A; | 获取价格 | ||
| APG082N01 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):155W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.7mΩ@10V,40A; | 获取价格 | ||
| APG050N85 | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):135A;功率(Pd):196W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,70A; | 获取价格 | ||
| FDP032N08B-F102 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):263W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,100A; | 获取价格 | ||
| FDP61N20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):61A;功率(Pd):417W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):41mΩ@10V,30.5A; | 获取价格 |
