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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
SMAJ14A/TR13Brightking极性:单向;反向截止电压(Vrwm):14V;击穿电压(最小值):15.6V;击穿电压(最大值):17.2V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:17.2A;最大钳位电压:23.2V;获取价格
SMAJ16ASMC Diode Solutions极性:单向;反向截止电压(Vrwm):16V;击穿电压:17.8V;反向漏电流(Ir):5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:15.4A;最大钳位电压:26V;获取价格
SMAJ11CASMC Diode Solutions极性:双向;反向截止电压(Vrwm):11V;击穿电压:12.2V;反向漏电流(Ir):5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:22A;最大钳位电压:18.2V;获取价格
SMAJ17ASMC Diode Solutions极性:单向;反向截止电压(Vrwm):17V;击穿电压:18.9V;反向漏电流(Ir):5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:14.5A;最大钳位电压:27.6V;获取价格
SMAJ400CA/TR13Brightking极性:双向;反向截止电压(Vrwm):400V;击穿电压:447V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:600mA;最大钳位电压:648V;获取价格
P4SMA220A/TR7Brightking极性:单向;反向截止电压(Vrwm):185V;击穿电压(最小值):209V;击穿电压(最大值):231V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:1.3A;最大钳位电压:328V;获取价格
SMAJ33CASHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD极性:双向;反向截止电压(Vrwm):33V;击穿电压:36.7V;反向漏电流(Ir):5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:7.5A;最大钳位电压:53.3V;获取价格
SMAJ190AThinking Electronic Industrial Co., Ltd.极性:单向;反向截止电压(Vrwm):190V;击穿电压:209V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:1.3A;最大钳位电压:308V;获取价格
SMAJ250AThinking Electronic Industrial Co., Ltd.极性:单向;反向截止电压(Vrwm):250V;击穿电压:279V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:1A;最大钳位电压:405V;获取价格
SMAJ33AThinking Electronic Industrial Co., Ltd.极性:单向;反向截止电压(Vrwm):33V;击穿电压:36.7V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:7.5A;最大钳位电压:53.3V;获取价格
MM1Z2V2JF二极管配置:独立式;稳压值(标称值):2.2V;稳压值(范围):2.08V~2.33V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):120uA@700mV;阻抗(Zzt):100Ω;获取价格
SF38Luguang Electronics Technology Co., Ltd.二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.7V@3A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+125℃@(Tj);获取价格
MBRB20200CTH-TPMicro Commercial Components二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):900mV@10A;反向电流(Ir):10uA@200V;获取价格
FR204Goodwork Semiconductor Co.,Ltd.二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj);获取价格
SSP7615-28M5RSiproin输出类型:固定 输出极性:正 输出通道数:1 最大输入电压:7V 输出电压:1.2V~5V 静态电流(地电流):0.5μA 输出电流:400mA 0.5uA超低静态功耗,400mA电流输出稳压LDO获取价格
LSH70R450GTLonten Semiconductor Co.,Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格
VBFB1208NVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):145W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):56mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
VBFB1104NVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
VBFB16R04VBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,3.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
VBFB2317VBsemi Electronics Co. Ltd类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):40W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格