找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| GLZ39B_R1_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):35.36V~37.19V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):200nA@30V;阻抗(Zzt):85Ω; | 获取价格 | ||
| SMF10CA | Mason semiconductor | ESD抑制器/TVS二极管 双向 SOD123FL Ppk=200W Vrwm=10V Vbr=11.1V~12.3V Ir=2.5uA Vc=17V Ipp=11.8A | 获取价格 | ||
| BZT52-B6V8_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：39V 稳压值(范围)：37.05V~40.95V 功率：410mW 反向电流(Ir)：100nA@29V 阻抗(Zzt)：90Ω | 获取价格 | ||
| 1N4148 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| MTMD7885T38 | Marktech Optoelectronics | Infrared (IR), Visible Emitter 850nm (x2), 810nm (x2), 770nm (x2) 1.4V (x2), 1.55V (x2), 1.6V (x2) 100mA (x2), 100mA (x2), 50mA (x2) TO-5-8 Metal Can | 获取价格 | ||
| BZT52C16-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：16V 稳压值(范围)：15.3V~17.1V 功率：370mW 反向电流(Ir)：100nA@11.2V 阻抗(Zzt)：40Ω | 获取价格 | ||
| MM3Z20VT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：20V 稳压值(范围)：18.8V~21.2V 功率：300mW 反向电流(Ir)：50nA@14V 阻抗(Zzt)：55Ω | 获取价格 | ||
| MM3Z24VT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：24V 稳压值(范围)：22.8V~25.6V 功率：300mW 反向电流(Ir)：50nA@16.8V 阻抗(Zzt)：70Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5937BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：33V 稳压值(范围)：31.35V~34.65V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@25.1V 阻抗(Zzt)：33Ω | 获取价格 | ||
| 1SMB5933BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：22V 稳压值(范围)：20.9V~23.1V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@16.7V 阻抗(Zzt)：17.5Ω | 获取价格 | ||
| MMBZ5242BLT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：12V 稳压值(范围)：11.4V~12.6V 功率：300mW 反向电流(Ir)：1uA@9.1V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 | ||
| US1D-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：10uA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| UF4007-E3--73 | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：10uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| UF1004-T | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@400V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| UF4007GP-TP | Micro Commercial Components | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1B-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@100V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N5408G | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.1V@3A 反向电流(Ir)：10uA@1kV | 获取价格 | ||
| LESD3Z5.0C | MDD辰达半导体 | Bi PD=100W VRWM=5V VBR=5.6V VC=16V IPP=8A IR=1uA CJ=10PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1N5261B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：47V 稳压值(范围)：44.65V~49.35V 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@36V 阻抗(Zzt)：105Ω | 获取价格 | ||
| ESD5Z24 | MDD辰达半导体 | Uni PD=120W VRWM=24V VBR=26.7V VC=35V IPP=1A IR=5uA CJ=50PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 |
