找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| P6KE520CA | Shenzhen Shaoxin Electronics Co. Ltd. | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):442V;击穿电压:494V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:900mA;最大钳位电压:698V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:600W; | 获取价格 | ||
| BY299 | SUNMATE electronic Co., LTD | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):10uA@800V;反向恢复时间(trr):250ns;工作温度:-50℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAW56-RTK--P | KEC CORPORATION | 二极管配置:1对共阳极;功率:300mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4148WG | Changzhou Galaxy microelectronics Limited | 二极管配置:独立式;功率:350mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):2.5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES5BCG | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1V@5A;反向电流(Ir):5uA@100V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1SS355 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;功率:300mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):100nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| F1J | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5μA@600V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| DF35NA80 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 正向压降(Vf):1.2V 17.5A;正向浪涌电流(Ifsm):400A;反向电流(Ir):10uA 800V;平均整流电流(Io):35A;工作结温(Tj):-55℃~+150℃;工作结温(Tj):-55℃~+150℃;直流反向耐压(Vr):800V; | 获取价格 | ||
| 15F120C-220C2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):3.2V@15A;反向电流(Ir):5uA@1.2kV;反向恢复时间(trr):40ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 10F40HF3-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.7V@5A;反向电流(Ir):50uA@400V;反向恢复时间(trr):36ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1SV282(TPH3,F) | TOSHIBA CORPORATION | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):34V;反向电流(Ir):10nA@32V;二极管电容(CT):2.85pF@25V,1MHz;电容比:12.5@C2V/C25V;串联电阻(Rs):600mΩ;工作温度:+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS 21U E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:3个独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BB 535 E7904 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):30V;反向电流(Ir):10nA@30V;二极管电容(CT):2.1pF@28V,1MHz;电容比:8.9@C1V/C28V;串联电阻(Rs):580mΩ;工作温度:-55℃~+150℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| BBY 55-03W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):16V;反向电流(Ir):3nA@15V;二极管电容(CT):6pF@10V,1MHz;电容比:2.5@C2V/C10V;串联电阻(Rs):150mΩ;工作温度:-55℃~+150℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| BBY 57-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):10V;反向电流(Ir):10nA@8V;二极管电容(CT):4.7pF@4V,1MHz;电容比:3.7@C1V/C4V;串联电阻(Rs):350mΩ;工作温度:-55℃~+125℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| BAR 81W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:100mW;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1V@100mA;反向电流(Ir):20nA@20V;反向恢复时间(trr):80ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS21LLYL | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:335mW;直流反向耐压(Vr):250V;平均整流电流(Io):330mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV70SRAZ | Rubycon Corporation | 二极管配置:2对共阴极;功率:610mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):335mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS521,315 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):300V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1V@100mA;反向电流(Ir):30nA@250V;反向恢复时间(trr):16ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES5K | FORMOSA MICROSEMI CO. LTD | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):3.2V@5A;反向电流(Ir):5uA@800V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
