找到“PLA03151NA0D2”相关的规格书共4,929个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| KL3021M | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流15MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：400V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3021 | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流15MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：400V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3021S1-TA | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流15MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：400V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，SMD6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），S1TA-铜线 | 获取价格 | ||
| KL3012M | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流5MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：250V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL2501S1-L-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| KL2501M-N | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL2501S1-W-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| PIMC31,115 | Rubycon Corporation | +150℃@(Tj) 70@50mA,5V 1kΩ 0.3V@50mA,2.5mA 10 420mW 0.8V@20mA,0.3V 100mA 0.6V@100uA,5V 50V 100nA 1 NPN - Pre-Biased,1 PNP - Pre-Biased SOT-457 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| PMBD7000,235 | Nexperia | 二极管配置：1对串联式 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：500nA@100V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| PMBD7000,215 | Nexperia | 二极管配置：1对串联式 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：500nA@100V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BPV22NF | Vishay Intertechnology, Inc. | 峰值波长：940nm 响应范围：790nm~1050nm 反向电压：60V 暗电流：2nA 接收角：±60° 工作温度：-40℃~+100℃ Photodiode 940nm 120° Radial, Side View，波长响应范围: 790nm ~ 1050nm | 获取价格 | ||
| BCP68,115 | Nexperia | SOT223-3L晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：20V 集电极电流(Ic)：2A 功率(Pd)：650mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@2A,200mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：85@500mA,1V | 获取价格 | ||
| 1SS355 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| ES1002FL_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置：独立式 正向压降(Vf)：950mV 1A 直流反向耐压(Vr)：200V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：500nA 200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃ (Tj) | 获取价格 | ||
| BCX70H,215 | Nexperia | SOT23-3晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：250mW 集电极截止电流(Icbo)：20nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：550mV@50mA,1.25mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：180@2mA,5V | 获取价格 | ||
| PMST3904,115 | Nexperia | SOT323晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V | 获取价格 | ||
| BAW56-RTK--P | KEC CORPORATION | 二极管配置:1对共阳极;功率:300mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1SS355 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;功率:300mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):100nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1SV282(TPH3,F) | TOSHIBA CORPORATION | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):34V;反向电流(Ir):10nA@32V;二极管电容(CT):2.85pF@25V,1MHz;电容比:12.5@C2V/C25V;串联电阻(Rs):600mΩ;工作温度:+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCR 162 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,5V; | 获取价格 |
