| 1 | NP3415EVR-G | | 下载 | Shanghai Natlinear Electronics Co.,Ltd. |
| 2 | NP3407VR-G | | 下载 | Shanghai Natlinear Electronics Co.,Ltd. |
| 3 | NP2N7002VR-G | | 下载 | Shanghai Natlinear Electronics Co.,Ltd. |
| 4 | NP6003MR-N-G | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;... | 下载 | Shanghai Natlinear Electronics Co.,Ltd. |
| 5 | NP2N10VR-G | | 下载 | Shanghai Natlinear Electronics Co.,Ltd. |
| 6 | NTR0202PLT1G-VB | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 7 | NTR4503NT1G-VB | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23 | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 8 | NSS40200LT1G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):540mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@500mA... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 9 | NX3008NBK,215 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):400mA;功率(Pd):350mW；1.14W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 10 | NTR4171PT1G | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):2.2A;功率(Pd):480mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,2... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 11 | NDS351N | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):1.1A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V,... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 12 | NSV1C201LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):710mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500m... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 13 | NTR3A052PZT1G | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.6A;功率(Pd):860mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@3.5A,... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 14 | NTR1P02LT3G | 此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。这些 P 沟道小信号 MOSFET 的典型... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 15 | NDC7002N | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):510mA;功率(Pd):960mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 16 | NVGS5120PT1G | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.1A;功率(Pd):1.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):72mΩ@10V,2.... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 17 | NSV1SS400T5G | SS SOD523 SWDI 100V TR | 下载 | ON Semiconductor |
| 18 | NTE576-6 | R-SI 600V 5 AMP 35NS | 下载 | NTE Electronics, Inc |
| 19 | NCE30H12K-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.31mΩ@10V,... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 20 | NJT4030PT3G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
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