1 | PM105SB-390L-RC | 39 µH 屏蔽 鼓芯,绕线式 电感器 1.1 A 120 毫欧最大 非标准 | 下载 | Bourns Inc. |
2 | PVX003A0X43-SRZ | 非隔离 PoL 模块 直流转换器 1 输出 0.6 ~ 5.5V 3A 3V - 14.4V 输入 | 下载 | ABB Installation |
3 | P1167.154NLT | 150 µH 屏蔽 绕线 电感器 520 mA 610 毫欧最大 非标准 | 下载 | Pulse Electronics |
4 | PESDLC2FD3V3BH | - | 下载 | Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd |
5 | P3D220150042167 | 704226474 插针;2.54,2×20P,L=40mm,H2.5,PA3,PC3.5 | 下载 | Shenzhen Liansheng Precision Connector Co., Ltd. |
6 | PUMH10,115 | Pre Biased Triodes 2NPN Ic=100mA hFE=100 300mW SOT363 | 下载 | Rubycon Corporation |
7 | PUMH9,115 | 2 NPN - Pre-Biased 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS | 下载 | Rubycon Corporation |
8 | PUMH20,115 | 2 NPN - Pre-Biased 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS | 下载 | Rubycon Corporation |
9 | PUMH2,115 | 2 NPN - Pre-Biased 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS | 下载 | Rubycon Corporation |
10 | PUMH7,115 | SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS | 下载 | Rubycon Corporation |
11 | PT2005A | | 下载 | ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD. |
12 | PZT651T1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):800mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):75@1A,2V; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
13 | PBSS4350Z,135 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@2A,2V; | 下载 | Rubycon Corporation |
14 | PZTA42T1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
15 | PZT3906 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):1W; | 下载 | Rubycon Corporation |
16 | PZTA92G-AA3-R | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):250nA;集电极-发射极... | 下载 | Unisonic Technology Co., Ltd. |
17 | PY1EE681KC400AB1025 | 安规电容 插件,P=10mm 680pF ±20% 400V | 下载 | Winday Electronic (Dongguan) Co., Ltd. |
18 | P3D208150041713 | 排针 直插,P=2.54mm 2x8Pin 板间距20mm 双塑 | 下载 | Shenzhen Liansheng Precision Connector Co., Ltd. |
19 | P3D105150042182 | 排针 直插,P=2.54mm 1x5Pin 板间距20mm 双塑 | 下载 | Shenzhen Liansheng Precision Connector Co., Ltd. |
20 | P2504EDG-VB | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A; | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |