1 | PUMD3,115 | 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS | 下载 | Rubycon Corporation |
2 | PUMH11,115 | Pre Biased Triodes SOT363 Dual NPN VCEO=50V hFE=30 | 下载 | Rubycon Corporation |
3 | PUMB2,115 | 300mW 100mA 50V 2 PNP - Pre-Biased SOT-363 Digital Transistors ROHS | 下载 | Rubycon Corporation |
4 | PUMD6,115 | 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS | 下载 | Rubycon Corporation |
5 | PHT6NQ10T,135 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1.8W;8.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@3A... | 下载 | Rubycon Corporation |
6 | PZTA44,115 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):300mA;功率(Pd):1.35W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-... | 下载 | Rubycon Corporation |
7 | PZT3904T1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
8 | PBSS4240ZF | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,5... | 下载 | Rubycon Corporation |
9 | PS1117-5.0 | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:20V;输出电压:5V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):60dB@(120Hz); | 下载 | PSI |
10 | PWR013216(1206)L1002FTU | 贴片电阻 1206 10KΩ ±1% 1/2W | 下载 | Shenzhen Meilong Electronic Co.,Ltd. |
11 | PRM16M0207J0T104 | MELF电阻 MELF0207 100KΩ ±5% 1W | 下载 | Thunder Precision Resistor Co., Ltd. |
12 | PSMN3R7-100BSEJ | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):405W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.95mΩ@25A... | 下载 | Rubycon Corporation |
13 | PSMN015-60BS,118 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):86W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14.8mΩ@15A,10... | 下载 | Rubycon Corporation |
14 | PBSS8110X,135 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@250mA... | 下载 | Rubycon Corporation |
15 | PXTA42,115 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):1.3W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@30m... | 下载 | Rubycon Corporation |
16 | PXT2222A,115 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射... | 下载 | Rubycon Corporation |
17 | PBSS4021NX,115 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
18 | PBSS4032NX,115 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):4.7A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射... | 下载 | Rubycon Corporation |
19 | PBSS306PX,115 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3.7A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | Rubycon Corporation |
20 | PBSS9110X,135 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@500mA... | 下载 | Rubycon Corporation |