找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R180P7 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,5.6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@280uA; | 获取价格 | ||
| FQD5N60CTM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,1.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDD8782 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| PTD3006 | ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):58W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| LNG05R230 | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):32A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| MM1Z39 | ST(先科) | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):39V;稳压值(范围):37V~41V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):2uA@30V;阻抗(Zzt):100Ω; | 获取价格 | ||
| BZT52B6V8 | FORMOSA MICROSEMI CO. LTD | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):6.8V;稳压值(范围):6.66V~6.94V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):2uA@4V;阻抗(Zzt):15Ω; | 获取价格 | ||
| MMSZ5227B | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):3.6V;稳压值(范围):3.42V~3.78V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):15uA@1V;阻抗(Zzt):24Ω; | 获取价格 | ||
| MM1Z39 | Jingdao | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):39V;稳压值(范围):37V~41V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):2uA@30V;阻抗(Zzt):100Ω; | 获取价格 | ||
| MM1Z3V0 | JF | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):3V;稳压值(范围):2.8V~3.2V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):50uA@1V;阻抗(Zzt):120Ω; | 获取价格 | ||
| ST60P | ST(先科) | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):20V;平均整流电流(Io):50mA;正向压降(Vf):1V@4mA;反向电流(Ir):50uA@10V; | 获取价格 | ||
| UF2010 | SUNMATE electronic Co., LTD | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.7V@2A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-65℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SMF10CA | Mason semiconductor | ESD抑制器/TVS二极管 双向 SOD123FL Ppk=200W Vrwm=10V Vbr=11.1V~12.3V Ir=2.5uA Vc=17V Ipp=11.8A | 获取价格 | ||
| AO3400 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | N沟道（D-S）MOSFET 30V 5.8A 28mΩ@10V,2.9A 1.4W 900mV@250uA 77pF@15V N Channel 623pF@15V 9.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| 1N4148 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| PMG85XPH | Nexperia | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：375mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：115mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.15V@250uA | 获取价格 | ||
| 1SMB5933BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：22V 稳压值(范围)：20.9V~23.1V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@16.7V 阻抗(Zzt)：17.5Ω | 获取价格 | ||
| MMBZ5242BLT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：12V 稳压值(范围)：11.4V~12.6V 功率：300mW 反向电流(Ir)：1uA@9.1V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 | ||
| US1D-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：10uA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| UF4007-E3--73 | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：10uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 |
