找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| KL2501S1-W-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| PIMC31,115 | Rubycon Corporation | +150℃@(Tj) 70@50mA,5V 1kΩ 0.3V@50mA,2.5mA 10 420mW 0.8V@20mA,0.3V 100mA 0.6V@100uA,5V 50V 100nA 1 NPN - Pre-Biased,1 PNP - Pre-Biased SOT-457 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| FR156 | GOOD-ARK | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.3V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BR24S128FV-WE2 | Rohm Semiconductor | BR24S128FV-WE2是一款128Kbit I2C接口的串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，具有高达1,000,000次的写周期寿命和40年的数据保持时间。该器件支持页写模式，适用于工厂初始值写入。低功耗设计，待机电流仅为0.1uA。支持噪声过滤功能，内置写保护功能。 | 获取价格 | ||
| MUR3060WTG | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：15A 正向压降(Vf)：1.7V@15A 反向电流(Ir)：10uA@400V 反向恢复时间(trr)：60ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| PMBD914,215 | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| L1N4148FT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：8ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4148W | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@100mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1N4148WS | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@100V 反向恢复时间(trr)：8ns | 获取价格 | ||
| YJL2301G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | P沟道增强型场效应晶体管 15V 2A 82mΩ@4.5V,1.5A 700mW 620mV@250uA 29pF@10V P Channel 260pF@10V 3.9nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| 1N4148WT | BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@100mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| WPE0521PZ | WPMTEK TECHNOLOGY INCORPORATED CO. | TVS二极管 极性：单向 反向断态电压V(RWM):5V 反向漏电流 IR @V(RWM)：0.2uA 击穿电压 V(BR) @IT：6V 钳位电压（VC@ Ipp）：12V 峰值脉冲电流IPP＝8A 结电容值：12pF VESD±30kV 封装：DFN1006 | 获取价格 | ||
| HER108 | MDD辰达半导体 | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：70ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4148WS | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MUR1620CTG | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：8A 正向压降(Vf)：975mV@8A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MUR3020WTG | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：15A 正向压降(Vf)：1.05V@15A 反向电流(Ir)：10uA@400V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) 15A,200V,共阴 | 获取价格 | ||
| MUR120RLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：875mV@1A 反向电流(Ir)：2uA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US3GC | MDD辰达半导体 | 工作温度:-50℃~+150℃(Tj);平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.4V @ 3A;反向电流(Ir):5uA @ 400V;二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;反向恢复时间(trr):50ns; | 获取价格 | ||
| SF54G | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):950mV@5A;反向电流(Ir):10uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| RS3MF | MDD辰达半导体 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.3V@3A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
