找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| US1BW | Jingdao | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1V@1A;反向电流(Ir):5uA@100V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF34 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):950mV@3A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF34 | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):950mV@3A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MUR1060CD | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.45V@5A;反向电流(Ir):10uA@600V;反向恢复时间(trr):25ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SDURB2060A | SMC Diode Solutions | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):2.1V@20A;反向电流(Ir):2uA@600V;反向恢复时间(trr):30ns;工作温度:-55℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ER206_AY_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.7V@2A;反向电流(Ir):1uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HER205 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TIP42C | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):400uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@6A,600mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PDTA113ZU,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,5V; | 获取价格 | ||
| HR13003 | HL | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):480V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@200mA,40mA;特征频率(fT):5MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD4243DM-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD4243DT-92 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SAS14-M | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):950mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TC1N4148T26B | T&C Technology | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KL851M | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比50~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压350V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-D-TU-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817S1-B-TU-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817M-C-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铁线 | 获取价格 | ||
| KL817-A | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL817M-A-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铁线 | 获取价格 |
