找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| FQA10N80C-F109 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):240W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):930mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.15nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDME1023PZT | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.6A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):95mΩ@4.5V,2.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):600mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.5nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):305pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):50pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1419T-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA160N08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.6mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):225nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.1nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):530pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS86300DC | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,24A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):59nC@0~8V;输入电容(Ciss@Vds):5.265nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):21pF@40V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCP600N60Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):7.4A;功率(Pd):89W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):510mΩ@10V,3.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):840pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):30pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCP11N60N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):10.8A;功率(Pd):94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):255mΩ@10V,5.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):27.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.505nF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):3pF@100V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1816T-TL-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5401YBU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJN3303FTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.1W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):14@500mA,2V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS86368-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):57nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):4.35nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4027T-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMT800152DC | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):72A;功率(Pd):113W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.9mΩ@10V,13A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):38nC@0~6V;输入电容(Ciss@Vds):4.196nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):16pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA9N90-F109 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):8.6A;功率(Pd):240W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@10V,4.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):55nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.7nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDWS86368-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):57nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):4.35nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCP25N60N-F102 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):216W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):107mΩ@10V,12.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):57nC@10v;输入电容(Ciss@Vds):2.52nF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):3.2pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1552T-TL-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N4918G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@500mA,1V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDPF51N25RDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):51A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,25.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):55nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.62nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):63pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BD437G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):36W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
