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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
FM4007-LFORMOSA MICROSEMI CO. LTD二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.1V@1A;反向电流(Ir):5uA@1kV;获取价格
P0640SASemiware Semiconductor Inc.断态峰值电压(Vdrm):58V;漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):77V;维持电流(Ih):150mA;获取价格
P1100SBBrightking断态峰值电压(Vdrm):90V;漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):130V;维持电流(Ih):150mA;获取价格
BEP3100SCBORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd.断态峰值电压(Vdrm):320V;漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):350V;维持电流(Ih):120mA;获取价格
P0640SBZhejiang Liown Semiconductor Co., Ltd.断态峰值电压(Vdrm):58V;漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):77V;维持电流(Ih):150mA;获取价格
P2300TASemiware Semiconductor Inc.反向截止电压(Vdrm):190V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):260V;维持电流(Ih):150mA;获取价格
SMAJ24CASHENZHEN JINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.VRWM24(V)/VBR(Min)@IT26.7(V)/VBR(Max)@IT30.7(V)/IT1(mA)/IR5(uA)/VC(Max)38.9(V)/Ipp(Max)10.3(A)获取价格
SMAJ12ASHENZHEN JINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.VRWM12(V)/VBR(Min)@IT13.3(V)/VBR(Max)@IT15.3(V)/IT1(mA)/IR5(uA)/VC(Max)19.9(V)/Ipp(Max)20.1(A)获取价格
LMBTH10LT1GLeshan Radio Co., Ltd.甚高频/超高频晶体管 100uA 25V 300mW 60@4mA,10V 50mA 650MHz 500mV@4mA,400uA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L获取价格
PDTC143TU,115Rubycon Corporation晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@5mA,250uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V;获取价格
GT22L16K1Y40-DShanghai Gaotong Semiconductor Co., Ltd字符集:BIG5/GB2312/JIS0208/KSC5601/UNICODE;点阵大小:5x7~16;时钟频率:108MHz;工作电压:2.7V~3.6V;工作电流:12mA;待机电流:2uA~13uA;工作温度:-40℃~+85℃;获取价格
74LVC2G14GW,125Rubycon CorporationSchmitt Trigger 1.65V~5.5V 4.3ns@5V,50pF 2 74LVC 4uA 32mA 32mA SC-70-6(SOT-363) Inverters ROHS获取价格
HSL0004HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):112mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
HSL6008HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
NCEP85T25DWUXI NCE POWER CO., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格
IPN70R1K4P7SInfineon Technologies类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):6.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,700mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@40uA;获取价格
IPN70R900P7SInfineon Technologies类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):6.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,1.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@60uA;获取价格
AOB254L-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):3.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):6V@250uA;获取价格
AOD536ElecSuper类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):46A;功率(Pd):37.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,20.0A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;获取价格
DSS34Rubycon Corporation二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):550mV@3A;反向电流(Ir):500uA@40V;获取价格