找到“bts650p”相关的规格书共6,180个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BCP53F | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | 获取价格 | ||
| FCH125N65S3R0-F155 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):24A;功率(Pd):181W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):125mΩ@10V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@590uA; | 获取价格 | ||
| FCMT099N65S3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):227W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):99mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@3mA; | 获取价格 | ||
| FCPF600N65S3R0 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):24W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@600uA; | 获取价格 | ||
| FCP360N65S3R0 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@200uA; | 获取价格 | ||
| FCPF125N65S3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):24A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):125mΩ@10V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@2.4mA; | 获取价格 | ||
| BCP56-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | 获取价格 | ||
| PBSS4240ZF | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,5V; | 获取价格 | ||
| VBL165R18 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,11A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| BCP52,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | 获取价格 | ||
| WSR30N65C | Winsok power Semiconductor CO., LTD | Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 650 VGS(V) 30 ID(A)Max. 28 VGS(th)(v) 3 RDS(ON)(m?)@4.512V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 13 Qgd(nC) 11.5 Ciss(pF) 2070 Coss(pF) 120 Crss(pF) 0.5 | 获取价格 | ||
| CJ3134KW | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):750mA;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,650mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA; | 获取价格 | ||
| SMD4N65 | Shenzhen HuaKe Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CJ3134K KF | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):750mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,650mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA; | 获取价格 | ||
| AP65SL380DH | APEC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| MDD7N65F | MDD辰达半导体 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路 | 获取价格 | ||
| LBC857CLT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 通用晶体管 15nA 45V 300mW 520@2mA,5V 100mA 100MHz 650mV@100mA,5mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| 2301P | FM | P沟道沟道功率MOSFET 20V 2.8A 110mΩ@10V,1A 840mW 650mV@250uA 42pF@10V P Channel 332pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3 | 获取价格 | ||
| TPS626751|TPS62674|TPS62671|TPS62679|TPS626765|TPS62675|TPS62672 | Texas Instruments | TPS6267x 500-mA/650-mA, 6-MHz High-Efficiency Step-Down Converter in Low Profile Chip Scale Packaging (Height < 0.4mm) datasheet (Rev. G) | 获取价格 | ||
| 0502407725 | MOLEX7[MolexElectronicsLtd.] | 0502407725 - Ring Tongue Terminal for 14-16 AWG, Closed Uninsulated Brazed Barrel, Stud Size 10(M5), Oxygen-Free Copper, Length 16.50mm (.650") - Molex Electronics Ltd. | 获取价格 |
