找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BAV70 | Coretong | 开关二极管（小信号） VR=70V IF=1mA VF(max)=715mV PD=225mW IR=2.5µA@70V SOT23-3 | 获取价格 | ||
| 1N4743A | ST | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：13V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@9.9V 阻抗(Zzt)：10Ω 13V 1W | 获取价格 | ||
| 1SMA4749A | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：24V 稳压值(范围)：22.8V~25.2V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@18.2V 阻抗(Zzt)：25Ω | 获取价格 | ||
| ESD5Z15V | MDD辰达半导体 | Uni PD=120W VRWM=15V VBR=16V VC=30V IPP=4A IR=0.5uA CJ=28PF | 获取价格 | ||
| 1N4007G | GOOD-ARK | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 1000V,1A,VF=1.1V@1A | 获取价格 | ||
| 1N4007 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：2.5uA@1kV | 获取价格 | ||
| QBL912GC-IR2 | QT Brightek (QTB) | Infrared (IR) Emitter 880nm 1.4V 50mA 0.6mW/sr @ 20mA 20° 2-SMD, Gull Wing | 获取价格 | ||
| VSMB2948G | Vishay Intertechnology, Inc. | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 10mW/sr @ 100mA 50° 2-SMD, Gull Wing | 获取价格 | ||
| VSMB2948SL | Vishay Intertechnology, Inc. | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 20mW/sr @ 100mA 50° 2-SMD, Gull Wing | 获取价格 | ||
| MM3Z6V2ST1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(范围)：6.06V~6.33V 功率：300mW 反向电流(Ir)：3uA@4V 阻抗(Zzt)：10Ω | 获取价格 | ||
| D3Z3V9BF-7 | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(范围)：3.89V~4.16V 功率：400mW 反向电流(Ir)：3uA@1V 阻抗(Zzt)：90Ω | 获取价格 | ||
| 1N5352BRLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：14.25V~15.75V 精度：±5% 功率：5W 反向电流(Ir)：1uA@11.5V 阻抗(Zzt)：2.5Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ4680T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.2V 稳压值(范围)：2.09V~2.31V 功率：500mW 反向电流(Ir)：4uA@1V | 获取价格 | ||
| MMSZ4685T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.6V 稳压值(范围)：3.42V~3.78V 功率：500mW 反向电流(Ir)：7.5uA@2V | 获取价格 | ||
| MM3Z10VST1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(范围)：9.8V~10.2V 功率：300mW 反向电流(Ir)：500nA@6V 阻抗(Zzt)：15Ω | 获取价格 | ||
| BAT854CW,135 | Nexperia | 肖特基二极管 一对共阴极 VR=40V IF=200mA IR=500nA Cd=20pF SOT323 | 获取价格 | ||
| TSAL4400 | Vishay Intertechnology, Inc. | 红外 （IR） 发射器 940nm 1.35V 100mA 16mW/sr @ 100mA 50° 径向 3mm 直径 | 获取价格 | ||
| S3BC | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@100V | 获取价格 | ||
| GBLC12C | MDD辰达半导体 | Bi PD=300W VRWM=12V VBR=13.3V VC=28.6V IPP=6A IR=1uA CJ=0.8PF | 获取价格 | ||
| S3GC | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@400V | 获取价格 |
