找到ir7843相关的规格书共7,864
型号厂商描述数据手册替代料参考价格
MMSZ4686Rubycon Corporation二极管配置:独立式;稳压值(标称值):3.9V;稳压值(范围):3.7V~4.1V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):5uA@2V;阻抗(Zzt):-;获取价格
PZ1D4V2HShanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd二极管配置:独立式;稳压值(标称值):5.1V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):5uA@4.2V;阻抗(Zzt):55Ω;获取价格
MMSZ4683Rubycon Corporation二极管配置:独立式;稳压值(标称值):3V;稳压值(范围):2.85V~3.15V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):800nA@1V;阻抗(Zzt):-;获取价格
BZT52C3V0Rubycon Corporation二极管配置:独立式;稳压值(标称值):3V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):10μA@1V;阻抗(Zzt):95Ω;获取价格
TC3V6TBT&C Technology二极管配置:独立式;稳压值(标称值):3.6V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):10uA@1V;阻抗(Zzt):100Ω;获取价格
TC6V2TBT&C Technology二极管配置:独立式;稳压值(标称值):6.2V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):5uA@3V;阻抗(Zzt):60Ω;获取价格
TC2V7TBT&C Technology二极管配置:独立式;稳压值(标称值):2.7V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100uA@1V;阻抗(Zzt):110Ω;获取价格
TC2V4TBT&C Technology二极管配置:独立式;稳压值(标称值):2.4V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):120uA@1V;阻抗(Zzt):100Ω;获取价格
TC20VTBT&C Technology二极管配置:独立式;稳压值(标称值):20V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):200nA@15V;阻抗(Zzt):45Ω;获取价格
TC15VTBT&C Technology二极管配置:独立式;稳压值(标称值):15V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):200nA@11V;阻抗(Zzt):40Ω;获取价格
TC12VTBT&C Technology二极管配置:独立式;稳压值(标称值):12V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):200nA@9V;阻抗(Zzt):30Ω;获取价格
HZ12B1ST(先科)二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):12.4V~12.9V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):1uA@9.5V;阻抗(Zzt):35Ω;获取价格
VSMY294310GVishay Intertechnology, Inc.红外(IR) 发射器 940nm(920nm ~ 960nm) 1.5V 70mA 12mW/sr @ 70mA 50° 2-SMD,鸥翼获取价格
VSMY5940Vishay Intertechnology, Inc.红外(IR) 发射器 940nm 1.6V 100mA 9mW/sr @ 100mA 120° 0805(2012 公制)获取价格
SML-S15R2TT86Rohm Semiconductor红外(IR) 发射器 870nm 1.4V 50mA 5.6mW/sr @ 20mA 1206(3216 公制)获取价格
LS-0730-015Advanced Photonix Inc红外(IR) 发射器 730nm(720nm ~ 740nm) 1.65V 20mA TO-46-2 透镜顶部金属罐获取价格
F1081IRP-A1C000142U1930Harvatek红外(IR) 发射器 850nm 1.9V 100mA 10mW/sr @ 100mA 120° 2-SMD,无引线获取价格
F1081IR--A1C000242U1930Harvatek红外(IR) 发射器 940nm 1.5V 100mA 10mW/sr @ 100mA 120° 2-SMD,无引线获取价格
B2851IR--70C000154U1930Harvatek红外(IR) 发射器 940nm 1.7V 70mA 4mW/sr @ 70mA 140° 0402(1005 公制)获取价格
B2591IR--20C000132U1930Harvatek红外(IR) 发射器 940nm 1.4V 70mA 4mW/sr @ 20mA 20° 1210(3225 公制)获取价格