找到“irf640n”相关的规格书共3,087个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HBR3045-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):640mV@15A;反向电流(Ir):50uA@45V; | 获取价格 | ||
| AO7407 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 400MXC82MEFC20X30 | Rubycon Corporation | 容值:82uF;精度:±20%;额定电压:400V;电容体直径:20mm;电容体长度:30mm;脚间距:10mm;纹波电流:640mA@120Hz;等效串联电阻:-;工作寿命:3000hrs@105℃;工作温度:-25℃~10℃; | 获取价格 | ||
| TPCJ2101 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| TPDMP2160UW | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| CI1301 | Chipintelli Co., Ltd. | CPU内核:RISC;CPU最大主频:220MHz;工作电压范围:3.6V~5.5V;内部振荡器:有;程序 FLASH容量:1MB;RAM总容量:640KB;GPIO端口数量:10;ADC(单元数/通道数/位数):1@x1ch/12bit;U(S)ART路数:3;I2C路数:1;I2S路数:1;工作温度范围:-40℃~+85℃; | 获取价格 | ||
| CI1303 | Chipintelli Co., Ltd. | CPU内核:RISC;CPU最大主频:220MHz;工作电压范围:3.6V~5.5V;内部振荡器:有;程序 FLASH容量:4MB;RAM总容量:640KB;GPIO端口数量:10;ADC(单元数/通道数/位数):1@x1ch/12bit;U(S)ART路数:3;I2C路数:1;I2S路数:1;工作温度范围:-40℃~+85℃; | 获取价格 |
