找到“ua7908ckter”相关的规格书共5,775个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HER208 | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.7V@2A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：70ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| TS2264A(MSOP-8) | Trusignal Microelectronics | 6.5MHz 轨到轨 5V/us Iq=580uA(per amp) Vos=3.5mV(Max) 双通道 产品性能媲美TI的OPA2374、ST的TSV912、MicroChip的MCP6282等 | 获取价格 | ||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Incorporated | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@10V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA | 获取价格 | ||
| 1SMB5931B-13 | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.1V~18.9V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@13.7V 阻抗(Zzt)：12Ω | 获取价格 | ||
| 1SMB5942BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：51V 稳压值(范围)：48.45V~53.55V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@38.8V 阻抗(Zzt)：70Ω | 获取价格 | ||
| 1SMB5937BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：33V 稳压值(范围)：31.35V~34.65V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@25.1V 阻抗(Zzt)：33Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C2V4-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.4V 稳压值(范围)：2.2V~2.6V 功率：370mW 反向电流(Ir)：50uA@1V 阻抗(Zzt)：100Ω | 获取价格 | ||
| RS1GB-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@400V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1M-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：500ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES2AA-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：920mV@2A 反向电流(Ir)：5uA@50V 反向恢复时间(trr)：25ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES1J | ON Semiconductor | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@600V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 2301P | FM | P沟道沟道功率MOSFET 20V 2.8A 110mΩ@10V,1A 840mW 650mV@250uA 42pF@10V P Channel 332pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3 | 获取价格 | ||
| 2302P | FM | N沟道沟道功率MOSFET 20V 3.2A 39mΩ@4.5V,2.5A 0.84W 0.65V@250uA 29pF@10V N Channel 182pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3 | 获取价格 | ||
| NTA4153NT1G | ON Semiconductor | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：915mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：230mΩ@4.5V,600mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA | 获取价格 | ||
| 1SMA5925BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：10V 稳压值(范围)：9.5V~10.5V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2.5uA@8V 阻抗(Zzt)：4.5Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5922BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：7.5V 稳压值(范围)：7.12V~7.88V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2.5uA@6V 阻抗(Zzt)：3Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5919BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.6V 稳压值(范围)：5.32V~5.88V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2.5uA@3V 阻抗(Zzt)：2Ω | 获取价格 | ||
| DB157S--Tube | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.1V@1.5A;反向电流(Ir):10uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):50A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| LB6S | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):800mA;正向压降(Vf):1V@400mA;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):30A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KBJ608 | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):10uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):170A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
