找到“ua7908ckter”相关的规格书共5,775个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| KL3012S1-TA | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流5MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：250V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，SMD6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），S1TA-铜线 | 获取价格 | ||
| KL2501-N | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL2501S1-N-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| KL2501M-K | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL2501-W | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL2501M-L | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| KL2501S1-K-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | 获取价格 | ||
| US1ML | DIYI ELECTRONIC | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV70WT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@100V 反向恢复时间(trr)：6ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1.5KE33CA | EIC | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：28.2V 击穿电压(最小值)：31.4V 击穿电压(最大值)：34.7V 反向漏电流(Ir)：1uA 最大钳位电压：45.7V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs：1.5kW | 获取价格 | ||
| RHRG75120 | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1.2kV 平均整流电流(Io)：75A 正向压降(Vf)：3.2V@75A 反向电流(Ir)：250uA@1.2kV 反向恢复时间(trr)：100ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MUR1100EG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.75V@1A 反向电流(Ir)：10uA@1kV 反向恢复时间(trr)：100ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| SMMSD4148T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4448WS | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：2.5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 2N7002KC | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | N沟道增强型场效应晶体管 60V 300mA 1.9Ω@10V,300mA 300mW 1.5V@250uA 2pF@30V N Channel 27pF@30V 1.65nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| 1N4148W | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：8ns | 获取价格 | ||
| 1N4148W | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：300mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：8ns | 获取价格 | ||
| 1N4148WT | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 2N7002EM3T5G | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.85V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：42pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| AO7407 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj) | 获取价格 |
