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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB9403L-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):333W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):186nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):13.5nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):280pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB082N15A | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):117A;功率(Pd):298W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.7mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):64.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.645nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC5706-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):160mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):400MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDWS9520L-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):12.2A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.4mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.37nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):40pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCP165N60E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):23A;功率(Pd):227W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):132mΩ@10V,11.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):59nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.83nF@380V;反向传输电容(Crss@Vds):8.6pF@380V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5401YTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA46N15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):85nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.5nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1552S-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@10mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1215S-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJA4213OTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):17A;功率(Pd):130W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@8A,800mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@1A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1815T-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1803T-TL-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):220mV@3A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE65TF180D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):21A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V,10.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):36nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.25nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB86363-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):131nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):10nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):95pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JCS10N65ST-S-AR | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):178W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):34nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.61nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG064N08NA1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):65nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):205pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG025N06LS2B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):145A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):69.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.381nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):10pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCEP028N85D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):200A;功率(Pd):245W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):124nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.68nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG055N08NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):187.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.66nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 4060K | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.65V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):52nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.246nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):176pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
