找到“3140UA”相关的规格书共5,804个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| RMSB40M | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):4A;正向压降(Vf):1.3V@4A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):95A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| RMSB30M | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.3V@3A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):90A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| P6KE36CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):30.8V;击穿电压:34.2V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:12.2A;最大钳位电压:49.9V; | 获取价格 | ||
| P6KE11A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):9.4V;击穿电压:10.5V;反向漏电流(Ir):5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:39.1A;最大钳位电压:15.6V; | 获取价格 | ||
| P6KE150A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):128V;击穿电压:143V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.9A;最大钳位电压:207V; | 获取价格 | ||
| P6KE27A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):23.1V;击穿电压:25.7V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:16.3A;最大钳位电压:37.5V; | 获取价格 | ||
| P6KE8.2CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):7.02V;击穿电压:7.79V;反向漏电流(Ir):200uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:50.4A;最大钳位电压:12.1V; | 获取价格 | ||
| P6KE24A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):20.5V;击穿电压:22.8V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:18.4A;最大钳位电压:33.2V; | 获取价格 | ||
| P6KE170CA | Createk Microelectronics | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):145V;击穿电压:162V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.6A;最大钳位电压:234V; | 获取价格 | ||
| P6KE8.2A | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):7.02V;击穿电压:7.79V;反向漏电流(Ir):200uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:52A;最大钳位电压:12.1V; | 获取价格 | ||
| P6KE62CA | SEMBO ELECTRONICS | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):53V;击穿电压:58.9V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:7.1A;最大钳位电压:85V; | 获取价格 | ||
| P6KE200A | Leiditech Electronic | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):171V;击穿电压:190V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.2A;最大钳位电压:274V; | 获取价格 | ||
| SPX3819M5-L-2-5(MS) | Mason semiconductor | 超低功耗1.5ua，最高工作电压24v，电流最大500ma，广泛用于各类便携式手持设备，智能穿戴，电子测量仪器，医疗电子等 | 获取价格 | ||
| SPX3819M5-L-3-3(MS) | Mason semiconductor | 超低功耗1.5ua，最高工作电压24v，电流最大500ma，广泛用于各类便携式手持设备，智能穿戴，电子测量仪器，医疗电子等 | 获取价格 | ||
| LP5907MFX-3.0/NOPB(MS) | Mason semiconductor | 超低功耗2ua，带EN使能脚，电流最大300ma，广泛用于各类便携式手持设备，平板电脑，智能穿戴，电子测量仪器，医疗电子等 | 获取价格 | ||
| SPX3819M5-L-3-0(MS) | Mason semiconductor | 超低功耗1.5ua，最高工作电压24v，电流最大500ma，广泛用于各类便携式手持设备，智能穿戴，电子测量仪器，医疗电子等 | 获取价格 | ||
| LP5907MFX-1.8/NOPB(MS) | Mason semiconductor | 超低功耗2ua，带EN使能脚，电流最大300ma，广泛用于各类便携式手持设备，平板电脑，智能穿戴，电子测量仪器，医疗电子等 | 获取价格 | ||
| GT30L24M1Z | Shanghai Gaotong Semiconductor Co., Ltd | 字符集:GB18030;点阵大小:24x24;时钟频率:120MHz;工作电压:2.7V~3.6V;工作电流:12mA;待机电流:5uA;工作温度:-40℃~+85℃; | 获取价格 | ||
| B1D10120F | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):1.46V@10A;反向电流(Ir):4.5uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| B1D10065F | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):32A;正向压降(Vf):1.43V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; | 获取价格 |
