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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| FQA13N50C-F109 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13.5A;功率(Pd):218W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):390mΩ@10V,6.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):43nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.58nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS86380-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.44nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):14pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCPF7N60YDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):31W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):530mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):710pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):34pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC6097-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@100mA,2V;特征频率(fT):390MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB029N06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):193A;功率(Pd):231W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):116nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.38nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):451pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCPF1300N80ZYD | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):24W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.05mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@400uA;栅极电荷(Qg@Vgs):16.2nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):661pF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):0.74pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1803T-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):220mV@3A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N4923G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@500mA,1V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HUF75639G3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):56A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.021mΩ@10V,56A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):110nC@0~20V;输入电容(Ciss@Vds):2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):65pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB86360-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):333W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):207nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):14.6nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):370pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4027S-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD2307 | Jiangsu HD-Frequency Technology Co. , Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):2.7A;功率(Pd):1.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):340pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):51pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE70T360D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):330mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCEP058N85D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):95A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@10V,45A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):67nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.55nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):22pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE0224D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):24A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):64mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):75pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SLD5N65SV | Maplesemi | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):680V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):32W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):585pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP6N40D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):32.9W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):700pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):12pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KIRFR9024NTRTBF | KUU SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):8.8A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,5.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):570pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):65pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JCS110N07I | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):72nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.8nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):330pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JMTE3002B | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):180A;功率(Pd):130W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.95mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.93nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):566pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
