| NTR4502PT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):1.13A;功率(Pd):400mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):200mΩ@1.95A,10V; | | | 获取价格 |
| MMBFJ177LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | | | 获取价格 |
| FDN306P | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):12V;连续漏极电流(Id):2.6A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@2.6A,4.5V; | | | 获取价格 |
| FDN327N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,2A; | | | 获取价格 |
| NTR4003NT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):500mA;功率(Pd):690mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@4V,10mA; | | | 获取价格 |
| BVSS84LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):130mA;功率(Pd):225mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10Ω@5V,100mA; | | | 获取价格 |
| BSS138LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):200mA;功率(Pd):225mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@5V,200mA; | | | 获取价格 |
| FDN339AN | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@4.5V,3A; | | | 获取价格 |
| MMUN2114LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):246mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | | | 获取价格 |
| NSV40200LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):540mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):135mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MGSF1N03LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):1.6A;功率(Pd):420mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,1.2A; | | | 获取价格 |
| SMMBT2907ALT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; | | | 获取价格 |
| SMMBTA56LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BC807-40LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SK932-24-TB-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 2SK932 是一款 N 沟道 JFET，15V，5 至 24mA，50mS，CP，适用于高频低噪音放大器应用。 | | | 获取价格 |
| BC858ALT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| FJV992FMTF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@10mA,1mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SD1048-6-TB-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):15V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):200mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,2V; | | | 获取价格 |
| 2N7002KT7G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):320mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@500mA,10V; | | | 获取价格 |
| NSVMMBT5087LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100?A,5V; | | | 获取价格 |
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