| NTD600N80S3Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,4A; | | | 获取价格 |
| J109-D26Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;栅源截止电压(VGS(off)@ID):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;输入电容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; | | | 获取价格 |
| PN2222ATF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; | | | 获取价格 |
| FDT86246L | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):2.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):189mΩ@10V,2A; | | | 获取价格 |
| BC63916-D74Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):830mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| J109 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 此器件适用于需要极低导通电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。 | | | 获取价格 |
| PZT2222AT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):1.5W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; | | | 获取价格 |
| KSA1281YTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V; | | | 获取价格 |
| 2N6517BU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):350V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@50mA,10V; | | | 获取价格 |
| J176-D74Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;栅源截止电压(VGS(off)@ID):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;输入电容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; | | | 获取价格 |
| NSV45035JZT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| KSC1845FTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,6V; | | | 获取价格 |
| BC517-D74Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.2A;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Vce,Ic):30000@2V,20mA; | | | 获取价格 |
| NCP1075STBT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NCP1072 / NCP1075 产品集成了固定频率电流模式控制器和 700 V MOSFET。NCP1072/5 采用 PDIP-7 或 SOT-223 封装，提供了高水平的集成，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳过周期、最大峰值电流设定点、斜坡补偿以及动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片方案不同，NCP1072/5 具有无噪音特性：在正常负载运行期间，在某个可用频率进行开关的时候（65，100，130 kHz）。当输出功率需求消失时，该集成电路将自动进入频率折回模式，在轻负载下提供卓越能效。当功率 | | | 获取价格 |
| NSV60601MZ4T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1A,2V; | | | 获取价格 |
| 2SA2039-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | | | 获取价格 |
| NCP81155MNTXG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 驱动配置:半桥;负载类型:MOSFET;电源电压:4.5V~13.2V;峰值灌电流:-; | | | 获取价格 |
| NCP43080DMTTWG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 电源电压:35V; | | | 获取价格 |
| TL431BVLPRAG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 电压基准类型:并联;输出类型:可调;输入电压:-;输出电流:100mA;精度:±0.4%;温度系数:50ppm/℃;静态电流:-;噪声(0.1Hz-10Hz):-;噪声(10Hz-10kHz):-;工作温度:-40℃~+125℃@(Ta); | | | 获取价格 |
| SBCP53T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V; | | | 获取价格 |
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